crystallographic axesとは 意味・読み方・使い方

In at least the two crystal transmission members, the deviation in the angle between one of the crystallographic axes [111], [100], and [110] and the optical axis is set to 1° or less.例文帳に追加

少なくとも２つの結晶透過部材は、結晶軸［１１１］、結晶軸［１００］および結晶軸［１１０］のうちのいずれか１つの結晶軸と光軸との間の角度ずれが１度以下に設定されている。 - 特許庁

To reduce the frequency deviation in the temperature characteristics of a quartz vibrator by eliminating/suppressing the irregularity of a cutting angle in manufacturing a quartz plate of a double rotation cut having inclined cut surfaces around two axes of a crystallographic axis.例文帳に追加

結晶軸の２軸回りに傾斜した切断面を有するダブルローテーションカットの水晶板の製造において、切断角度のばらつきを解消・抑制して水晶振動子の温度特性における周波数偏差を小さくする。 - 特許庁

The GaN substrate 1 manufacturing method includes a step of processing the surface of a substrate 1 composed of a GaN single crystal into a concaved spherical shape, based on variations in orientations a_0, a_1 of the crystallographic axes x_0, x_1 across the substrate 1 surface.例文帳に追加

ＧａＮ基板１の製造方法は、ＧａＮ単結晶からなる基板１の表面を、基板１表面における結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきに基づいて凹型の球面状に加工する工程を有する。 - 特許庁

Processing the GaN substrate 1 surface into a concaved spherical shape reduces, in the GaN substrate 1 surface after processing, variations in orientations a_0, a_1 of the crystallographic axes x_0, x_1 with respect to a normals n_0, n_1.例文帳に追加

ＧａＮ基板１の表面を凹型の球面状に加工することで、加工後のＧａＮ基板１表面において、法線ｎ_０，ｎ_１に対する結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少する。 - 特許庁

Furthermore, employing to manufacture semiconductor devices a GaN substrate 1 in which the variations in orientations a_0, a_1 of the crystallographic axes x_0, x_1 have been reduced makes it possible to uniformize in device characteristics a plurality of semiconductor devices fabricated from a single GaN substrate 1, which contributes to improving yields in manufacturing the semiconductor devices.例文帳に追加

また、結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少したＧａＮ基板１を用いて半導体デバイスを製造することにより、一つのＧａＮ基板１から作製される複数の半導体デバイスのデバイス特性を均一にできるため、半導体デバイスを作製する際の歩留まりを高めることができる。 - 特許庁