diode gate circuitとは 意味・読み方・使い方

The gate shape structure of the input protective circuit unit is removed and the breakdown voltage of the diode does not depend upon the breakdown voltage of a gate oxide film 21 like in a conventional diode which retains the gate electrode at the same voltage as the region 33 whereby a high breakdown voltage is obtained.例文帳に追加

入力保護回路部のゲート状構造は除去されており、ゲート電極を高濃度Ｎ＋型領域３３と同電位に保つ従来のダイオードのように、ダイオードの耐圧がゲート酸化膜２１の耐圧に依存しないため、高耐圧が得られる。 - 特許庁

A series circuit constituted of a Zener diode ZD1 and a transistor Q31 is provided between the gate and the source of the MOSFET Q1.例文帳に追加

このＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート−ソース間には、ツェナーダイオードＺＤ１及びトランジスタＱ３１から構成される直列回路を設ける。 - 特許庁

The source of the FET 6 is connected to the other of the output terminals of the diode bridge 4, and the gate is connected to a control circuit 13.例文帳に追加

ＦＥＴ６のソースは、ダイオードブリッジ４の出力端の他方と接続され、そのゲートは制御回路１３と接続される。 - 特許庁

A gate driving circuit 10 drives the gate of a switching element 1, by boosting an input signal with a charge pump circuit 20 which is equipped with a diode 21 and a capacitor 22.例文帳に追加

ゲート駆動回路１０は、ダイオード２１とコンデンサ２２とを備えたチャージポンプ回路２０で入力信号を昇圧することによりスイッチング素子１のゲートを駆動する。 - 特許庁

A 1st diode D1 is connected to block flowing of a current to the gate from the power supply 2 for the drive circuit is connected between the positive terminal of the power supply 2 for the drive circuit and the gate of the MOSFET 1.例文帳に追加

駆動回路用電源２のプラス端子とＭＯＳＦＥＴ１のゲートとの間には、駆動回路用電源２から前記ゲートへの電流の流れを阻止するように第１のダイオードＤ１が接続されている。 - 特許庁

To solve the problem that a reverse voltage is applied to a drive circuit and the circuit is damaged in a short-circuit protection circuit having an IGBT having reverse breakdown voltage in which a diode is connected between a gate drive circuit and a collector of the IGBT and the gate is blocked when a collector voltage rises at overcurrent.例文帳に追加

逆耐圧を有するＩＧＢＴの短絡保護回路として、ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードを接続して、過電流時コレクタ電圧が上昇した時、ゲート遮断する方式では、駆動回路に逆電圧がかかり破壊される。 - 特許庁

The gate protective circuit has a voltage-dividing resistor dividing the breakdown voltage by the Zener diode and the Zener diode consisting of a P-type impurity region doped by P-type impurities.例文帳に追加

ゲート保護回路は、ツェナーダイオードと、Ｐ型の不純物がドーピングされたＰ型不純物領域よりなる、ツェナーダイオードによる降伏電圧を分圧する分圧抵抗とを有する。 - 特許庁

The anode of a Zener diode ZD1 is connected to the gate of a MOS transistor Q3, and the cathode of the Zener diode is connected to the output of a drive circuit 12.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＱ３のゲートにはツェナーダイオードＺＤ１のアノードが接続され、ツェナーダイオードのカソードは駆動回路１２の出力に接続されている。 - 特許庁