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double‐tunnelの英語
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「double‐tunnel」を含む例文一覧
該当件数 : 9件
DOUBLE-TUNNEL JUNCTION ELEMENT例文帳に追加
二重トンネル接合素子 - 特許庁
DOUBLE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM例文帳に追加
二重トンネル磁気抵抗効果膜 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE STORAGE DEVICE HAVING DOUBLE TUNNEL JUNCTION例文帳に追加
二重トンネル接合を有する磁気抵抗記憶デバイス - 特許庁
DOUBLE TUNNEL CONSTRUCTION METHOD, JOINT PART SEGMENT, AND ASSEMBLING DEVICE例文帳に追加
ダブルトンネル工法及び接合部セグメント及び組立装置 - 特許庁
A magnetic memory device (100) including double tunnel junction cells (108, 110) based on a magnetically soft reference layer is disclosed.例文帳に追加
磁気的に軟らかい基準層に基づいた二重トンネル接合セル(108,110)を含む磁気メモリデバイス(100)が開示される。 - 特許庁
A second magnetization fixed layer is deposited further thereon and then heat treatment is performed thus producing a double tunnel magnetoresistance effect film having a crystal lattice connected continuously to all.例文帳に追加
さらにその上に第２磁化固定層を成膜し、その後に加熱処理を行うことで全てに連続して繋がった結晶格子を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜が製造される。 - 特許庁
To provide a double tunnel magnetoresistance effect film having two tunnel barrier layers in which the MR ratio is enhanced, and to provide a production method therefor.例文帳に追加
２つのトンネルバリア層を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜について、ＭＲ比を向上させた二重トンネル磁気抵抗効果膜及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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「double‐tunnel」を含む例文一覧
該当件数 : 9件
A double tunnel insulating layer is formed in a tunnel region to flow tunnel current, and a resonance tunnel effect, instead of FN tunnel effect, is used when charging and discharging electricity.例文帳に追加
トンネル電流を流すトンネル領域に２重のトンネル絶縁膜層を形成し、フローティングゲートへの電荷の注入あるいは引き抜きにおいて、従来のＦＮトンネル効果のかわりに共鳴トンネル効果を用いることとした。 - 特許庁
A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers.例文帳に追加
強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。 - 特許庁
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