emitter diffusionとは 意味・読み方・使い方

A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.例文帳に追加

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁

Phosphorus in the emitter lead electrode 10 is diffused to a part of the Si cap layer 9 and an emitter diffusion layer 9a is formed.例文帳に追加

そして、エミッタ引き出し電極１０中のリンがＳｉキャップ層９の一部に拡散されてエミッタ拡散層９ａが形成されている。 - 特許庁

Thus, emitter ballast resistance of the emitter diffusion layer 9 can be made large and short-circuit destruction resistance can be improved with such structure.例文帳に追加

上記構成により、エミッタ拡散層９のエミッタバラスト抵抗を大きくでき、短絡破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a base layer 9 formed on a silicon substrate 1, an emitter layer 12 formed in the base layer 9, and an emitter wiring layer 22 contacting to the emitter 12, where an emitter electrode layer 14 of a silicon layer is between the emitter layer 12 and the emitter wiring layer 22, and the emitter layer 12 is formed out of impurities by thermal- diffusion from the emitter electrode layer 14.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたベース層９と、このベース層９内に形成されたエミッタ層１２と、このエミッタ層１２にコンタクトするエミッタ配線層２２とを有する半導体装置において、前記エミッタ層１２上とエミッタ配線層２２との間にシリコン層から成るエミッタ電極層１４を介在させ、エミッタ層１２はエミッタ電極層１４から熱拡散された不純物から成る。 - 特許庁

An emitter region 14 is formed by impurity diffusion from the polycrystalline silicon film 20.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０からの不純物拡散によってエミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

A collector n^+-type diffusion layer 16 is arranged between the neighbored base emitter regions.例文帳に追加

隣接するベース・エミッタ領域の間にコレクタＮ＋拡散層１６を配置する。 - 特許庁

Emitter diffusion is performed in the second heat treatment, and the heat treatment (a) is completed.例文帳に追加

第２の熱処理でエミッタ拡散を行うとともに、熱処理ａを完了させる。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁