emitter diffusionとは 意味・読み方・使い方

An emitter extraction electrode 9 for burying the emitter opening 7a is provided, phosphor in the emitter extraction electrode 9 is diffused to the Si cap layer 5, and an emitter diffusion layer 5a is formed.例文帳に追加

エミッタ開口部７ａを埋めるエミッタ引き出し電極９が設けられ、エミッタ引き出し電極９中のリンがＳｉキャップ層５に拡散されてエミッタ拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

All of the base drawer p^+-type diffusion layers 14A-14E are connected to a base contact 8, and all of the emitter n^+-type diffusion layers 15A-15I are connected to an emitter contact 9.例文帳に追加

全てのベース引き出しＰ＋拡散層１４Ａ〜１４Ｅをベースコンタクト８に接続し、全てのエミッタＮ＋拡散層１５Ａ〜１５Ｉをエミッタコンタクト９に接続する。 - 特許庁

Emitter diffusion is performed in the second heat treatment, and the heat treatment (a) is completed.例文帳に追加

第２の熱処理でエミッタ拡散を行うとともに、熱処理ａを完了させる。 - 特許庁

A collector n^+-type diffusion layer 16 is arranged between the neighbored base emitter regions.例文帳に追加

隣接するベース・エミッタ領域の間にコレクタＮ＋拡散層１６を配置する。 - 特許庁

Thus, emitter ballast resistance of the emitter diffusion layer 9 can be made large and short-circuit destruction resistance can be improved with such structure.例文帳に追加

上記構成により、エミッタ拡散層９のエミッタバラスト抵抗を大きくでき、短絡破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

An emitter region 14 is formed by impurity diffusion from the polycrystalline silicon film 20.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０からの不純物拡散によってエミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

The diode element has a longitudinal bipolar transistor structure, comprising a collector diffusion layer 27, a base diffusion layer 29, and an emitter diffusion layer 31; its base and collector are connected; and is a diode element formed between the emitter and the base.例文帳に追加

ダイオード素子は、コレクタ拡散層２７、ベース拡散層２９及びエミッタ拡散層３１を備えた縦型バイポーラトランジスタ構造からなり、ベースとコレクタが接続され、エミッタとベースとの間で形成されたダイオード素子である。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁