「emitter diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Each base emitter region comprises a base drawer p^+-type diffusion layer (14A, for example) and emitter n^+-type diffusion layers (15A, 15B, for examples).例文帳に追加

個々のベース・エミッタ領域には、ベース引き出しＰ＋拡散層（例えば１４Ａ）と、エミッタＮ＋拡散層（例えば１５Ａ，１５Ｂ）を含ませる。 - 特許庁

A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.例文帳に追加

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁

An emitter extraction electrode 9 for burying the emitter opening 7a is provided, phosphor in the emitter extraction electrode 9 is diffused to the Si cap layer 5, and an emitter diffusion layer 5a is formed.例文帳に追加

エミッタ開口部７ａを埋めるエミッタ引き出し電極９が設けられ、エミッタ引き出し電極９中のリンがＳｉキャップ層５に拡散されてエミッタ拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

All of the base drawer p^+-type diffusion layers 14A-14E are connected to a base contact 8, and all of the emitter n^+-type diffusion layers 15A-15I are connected to an emitter contact 9.例文帳に追加

全てのベース引き出しＰ＋拡散層１４Ａ〜１４Ｅをベースコンタクト８に接続し、全てのエミッタＮ＋拡散層１５Ａ〜１５Ｉをエミッタコンタクト９に接続する。 - 特許庁

Emitter diffusion is performed in the second heat treatment, and the heat treatment (a) is completed.例文帳に追加

第２の熱処理でエミッタ拡散を行うとともに、熱処理ａを完了させる。 - 特許庁

A collector n^+-type diffusion layer 16 is arranged between the neighbored base emitter regions.例文帳に追加

隣接するベース・エミッタ領域の間にコレクタＮ＋拡散層１６を配置する。 - 特許庁

Thus, emitter ballast resistance of the emitter diffusion layer 9 can be made large and short-circuit destruction resistance can be improved with such structure.例文帳に追加

上記構成により、エミッタ拡散層９のエミッタバラスト抵抗を大きくでき、短絡破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

An emitter region 14 is formed by impurity diffusion from the polycrystalline silicon film 20.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０からの不純物拡散によってエミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

The diode element has a longitudinal bipolar transistor structure, comprising a collector diffusion layer 27, a base diffusion layer 29, and an emitter diffusion layer 31; its base and collector are connected; and is a diode element formed between the emitter and the base.例文帳に追加

ダイオード素子は、コレクタ拡散層２７、ベース拡散層２９及びエミッタ拡散層３１を備えた縦型バイポーラトランジスタ構造からなり、ベースとコレクタが接続され、エミッタとベースとの間で形成されたダイオード素子である。 - 特許庁

N+ emitter diffusion layers 15A and 15B are formed on the opposite sides of the P+ base lead out diffusion layer 14 through isolation films 17B and 17C.例文帳に追加

P+ベース引き出し拡散層１４の両側に分離絶縁膜１７Ｂ，１７Ｃを介してN+エミッタ拡散層１５Ａ，１５Ｂを形成する。 - 特許庁

Phosphorus in the emitter lead electrode 10 is diffused to a part of the Si cap layer 9 and an emitter diffusion layer 9a is formed.例文帳に追加

そして、エミッタ引き出し電極１０中のリンがＳｉキャップ層９の一部に拡散されてエミッタ拡散層９ａが形成されている。 - 特許庁

In diffusion layers respectively constituting a collector region 4, an emitter region 4, and a base region 5, two or more rows of high- concentration diffusion layers (9, 10, and 11) are formed in the transversal directions of the diffusion layers.例文帳に追加

コレクタ領域３、エミッタ領域４、ベース領域５を構成する拡散層には、拡散層の短手方向に２列以上の高濃度の拡散層９、１０、１１が形成されている。 - 特許庁

To self-adjustably form not only an emitter diffusion layer but also a base diffusion layer and a collector diffusion layer, and readily and reliably enable a trend, to further fine and realize high performance of a bipolar transistor.例文帳に追加

エミッタ拡散層のみならず、ベース拡散層及びコレクタ拡散層を自己整合的に形成し、バイポーラトランジスタの更なる微細化・高性能化を容易且つ確実に可能とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a base layer 9 formed on a silicon substrate 1, an emitter layer 12 formed in the base layer 9, and an emitter wiring layer 22 contacting to the emitter 12, where an emitter electrode layer 14 of a silicon layer is between the emitter layer 12 and the emitter wiring layer 22, and the emitter layer 12 is formed out of impurities by thermal- diffusion from the emitter electrode layer 14.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたベース層９と、このベース層９内に形成されたエミッタ層１２と、このエミッタ層１２にコンタクトするエミッタ配線層２２とを有する半導体装置において、前記エミッタ層１２上とエミッタ配線層２２との間にシリコン層から成るエミッタ電極層１４を介在させ、エミッタ層１２はエミッタ電極層１４から熱拡散された不純物から成る。 - 特許庁

A P+-diffusion layer 10a as a base contact region for having a contact with the P-diffusion layer is formed at a prescribed distance (a) from the emitter region.例文帳に追加

ｐ拡散層７とコンタクトをとるためのベースコンタクト領域としてのｐ^+拡散層１０ａが、エミッタ領域と所定の距離ａを隔てて形成されている。 - 特許庁

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode.例文帳に追加

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

A collector 3 made of an N-type diffusion layer, a base 5 made of a P-type diffusion layer, and an emitter 7 made of an N-type diffusion layer are formed in a P-type semiconductor layer 1, to form a bipolar transistor.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１に、Ｎ型拡散層からなるコレクタ３、Ｐ型拡散層からなるベース５、Ｎ電型拡散層からなるエミッタ７が形成されてバイポーラトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The ESD protection element includes: a bipolar transistor having a collector diffusion layer 7 connected with a first terminal (Pad), and an emitter terminal; and current control resistors 11 provided on a plurality of current paths from a second terminal (GND) to the collector diffusion layer 7 through an emitter diffusion layer 4, respectively.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、第１端子（Ｐａｄ）に接続されるコレクタ拡散層７とエミッタ端子とを備えるバイポーラトランジスタと、第２端子（ＧＮＤ）からエミッタ拡散層４を介してコレクタ拡散層７に至る複数の電流経路上のそれぞれに設けられた電流制御抵抗１１とを具備する。 - 特許庁

In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのＰ型の拡散層１８の周囲には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４、１５、Ｎ型の拡散層２２、２３が形成される。 - 特許庁

A P type diffusion layer 106 to become an emitter layer of a horizontal PNP transistor of the IIL and a P type diffusion layer 107 to become a collector layer are formed on the first element region.例文帳に追加

第１の素子領域にはＩＩＬの横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ層となるＰ型拡散層１０６と、コレクタ層となるＰ型拡散層１０７が形成される。 - 特許庁

Therefore, the emitter diffusion layer 5 is a shallow junction and the impurity concentration of an emitter becomes high, thereby realizing a high-performance semiconductor device which simultaneously obtains a high current amplification factor without reducing an early voltage or emitter-collector voltage resistance.例文帳に追加

従って、エミッタ拡散層５は浅い接合で、且つエミッタの不純物濃度は高くなるので、アーリー電圧やエミッタ・コレクタ耐圧を低下させることなく、同時に高い電流増幅率を得る高性能な半導体装置を実現できる。 - 特許庁

In the epitaxial layer 4, p-type diffusion layers 31, 32 for base regions, n-type diffusion layers 27, 28, 29, 30 for collector regions and an n-type diffusion layers 35 for an emitter region are formed.例文帳に追加

エピタキシャル層４には、ベース領域としてのＰ型の拡散層３１、３２と、コレクタ領域としてのＮ型の拡散層２７、２８、２９、３０と、エミッタ領域としてのＮ型の拡散層３５が形成されている。 - 特許庁

A polysilicon as an emitter diffusion source is buried in the trench and it is used as a part of an emitter electrode, capable of increasing the emitter area in the vertical direction as well as realizing lower saturation voltage and higher output without making a chip larger in size.例文帳に追加

エミッタ拡散源となるポリシリコンをトレンチに埋設してエミッタ電極の一部として活用することで、縦方向でのエミッタ領域の面積を増やすことができ、チップサイズを増大させずに低飽和電圧化および高出力化を実現できる。 - 特許庁

To obtain a transistor device excellent in high frequency characteristic by performing emitter diffusion from the bottom surface of a trench formed on a base surface.例文帳に追加

ベース表面に形成した溝の底面からエミッタ拡散を行うことにより、高周波特性に優れたトランジスタ装置を得る。 - 特許庁

The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加

Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing of a diffusion layer for photovoltaics, easily forming the diffusion layer for photovoltaics using a selective emitter, and also to provide a method for manufacaturing of solar cell.例文帳に追加

選択エミッタを用いた太陽電池用拡散層を容易に形成することが可能な太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法を得る。 - 特許庁

The vertical PNP transistor is equipped with a base layer which comprises a first phosphorus injection layer exhibiting its peak concentration at a position deeper than an emitter diffusion layer and a second phosphorus injection layer showing its peak concentration at a position shallower than the emitter diffusion layer, and the width of the base layer is expanded, whereby an Early effect can be restrained.例文帳に追加

エミッタ拡散層より深い位置にピーク濃度を持つ第１のリン注入層７とエミッタ拡散層７より浅い位置にピーク濃度を持つ第２のリン注入層６を有し、ベース幅を広げることにより、アーリー効果を抑制することができる。 - 特許庁

In a horizontal bipolar transistor, containing thermally diffused impurities provided on the upper part of a base region, contains a semiconductor layer, and has a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer juxtaposed, and a semiconductor device that has such a transistor, the semiconductor layer is laid down to further implant impurities, and then, subjected to heat treatment, to make a collector diffusion layer and an emitter diffusion layer.例文帳に追加

ベース領域の上部に設けた不純物を含有する半導体層の前記不純物を熱拡散させてコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを並設してなる横型バイポーラトランジスタ、およびそれを有する半導体装置において、半導体層を横断させて不純物をさらにイオン注入した後に熱処理することによってコレクタ拡散層とエミッタ拡散層とを設ける。 - 特許庁

After forming an interlayer insulation film 10 and flattening it, emitter extraction electrodes 21 connected to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) are so formed as to be connected to the silicide film 8 on the element isolation film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながるエミッタ引き出し電極２１を形成する。 - 特許庁

An emitter pick-up layer containing fluorine and impurities is formed on a semiconductor layer containing silicon, and it is heated to diffuse the impurities in the semiconductor layer and form an emitter diffusion layer.例文帳に追加

シリコンを含む半導体層上に、フッ素と不純物とを含むエミッタ取出層を形成し、その後、熱処理して前記半導体層に前記不純物を拡散させてエミッタ拡散層を形成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device excellent in its high-frequency characteristic wherein an emitter diffusion is so performed by a groove formed in its base region as to reduce further its base resistance and reduce a capacitance between its base and its emitter too.例文帳に追加

ベース領域に形成した溝によりエミッタ拡散を行い、よりベース取り出し抵抗を低減し、ベース−エミッタ間容量も低減する高周波特性に優れた半導体装置を得る。 - 特許庁

In succession, N-type impurities are diffused in the intrinsic base region 6 through high-temperature heat treatment, to form an emitter diffusion layer 11.例文帳に追加

続いて、高温の熱処理により、真性ベース領域６内にＮ型不純物を拡散させ、エミッタ拡散層１１を形成する。 - 特許庁

In this backlight device 100, a reflecting sheet 142 and a diffusion sheet 144 of a surface emitter 140 are disposed face to face through an air gap.例文帳に追加

バックライト装置１００では、面発光体１４０の反射シート１４２と拡散シート１４４とが空隙を介して対向配置される。 - 特許庁

The emitter diffusion area 23 is formed by self alignment by forming a side wall 14' together with the NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタと同時にサイドウォール１４’を形成することにより、セルフアラインでエミッタ拡散領域２３を形成するようなプロセスとする。 - 特許庁

The NPN-type transistor 5 comprises an N-type epitaxial layer corresponding to the emitter, a P-type diffusion layer selectively formed on the N-type epitaxial layer and corresponding to the base, and an N-ype diffusion layer selectively formed on the P-type diffusion layer and corresponding to the collector.例文帳に追加

ＮＰＮ型トランジスタ５は、エミッタに相当するＮ型エピタキシャル層と、Ｎ型エピタキシャル層上に選択的に形成され、ベースに相当するＰ型拡散層と、Ｐ型拡散層上に選択的に形成され、コレクタに相当するＮ型拡散層とから構成される。 - 特許庁

In addition, a P-type poly-Si empolyed for the emitter diffusion area 23 of the L-PNP transistor is used as a poly-Si for high resistance.例文帳に追加

また、Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に使用するＰ型ｐｏｌｙ−Ｓｉを高抵抗用のｐｏｌｙ−Ｓｉとしても使用する。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁

A first contact electrode 40 electrically connected to an emitter electrode 26 of the IGBT is brought into contact with the first diffusion layer 32 in the operation region R1.例文帳に追加

ＩＧＢＴのエミッタ電極２６に電気的に接続された第１コンタクト電極４０が、動作領域Ｒ１で第１拡散層３２とコンタクトする。 - 特許庁

In IGBT, a first emitter diffusion layer 9 is installed in a direction crossing trenches 4 arranged in stripe shapes.例文帳に追加

ストライプ状に設けられたトレンチ４に対して、トレンチ４と交差する方向に第１エミッタ拡散層９が設けられたＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

In a heterojunction bipolar transistor having a collector layer (12), a base layer (13), and an emitter layer (14), an Au diffusion preventing layer (20) of InP or InGaP is formed between an emitter electrode (19) including gold and the base layer (13).例文帳に追加

コレクタ層（１２）、ベース層（１３）及びエミッタ層（１４）を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、金を含むエミッタ電極（１９）とベース層（１３）との間に、ＩｎＰ又はＩｎＧａＰのＡｕ拡散防止層（２０）を備える。 - 特許庁

A resist 20 is formed to a region, excluding the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed and on the LOCOS oxide film 16 and the N-type emitter region 15 is formed by ion implantation and thermal diffusion (Figs. 3(b), 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｎ型エミッタ領域１５の形成予定場所を除く場所およびＬＯＣＯＳ酸化膜１６上にレジスト２０を形成し、イオン注入、熱拡散を行ってＮ型エミッタ領域１５を形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。 - 特許庁

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21.例文帳に追加

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。 - 特許庁

Consequently, a structure which does not allow the P-type diffusion layer 20 to come into contact with an emitter electrode 25 can be obtained without lowering a breakdown voltage of the runner 2, thus preventing the P-type diffusion layer 20 from functioning as a diode in recovery.例文帳に追加

これにより、ランナー部２の耐圧を低下させずに、Ｐ型拡散層２０をエミッタ電極２５にコンタクトしない構造にすることができ、Ｐ型拡散層２０がリカバリ時にダイオードとして機能しないようにすることができる。 - 特許庁

The variable display 41 includes a light emitting substrate mounted with a light emitter, and a display unit provided in a position visible from a game machine front side, having a light diffusion part for diffusing a light, and for transmitting the light from the light emitter.例文帳に追加

可変表示装置４１は、発光体が実装された発光基板と、遊技機前方から視認可能な位置に設けられ、光を拡散させる光拡散部を有し上記発光体からの光が透過する表示ユニットとを有している。 - 特許庁

A base extraction electrode 18A and an emitter extraction electrode 29 are formed in a manner where they are self-aligned with each other, and then an outer base layer 21 and an emitter layer 27 are formed in a self-aligned manner through the diffusion of impurities contained in the electrodes 18A and 29.例文帳に追加

ベース引き出し電極１８Ａとエミッタ引き出し電極２９とを互いに自己整合的に形成した後、各電極１８Ａ，２９からの不純物の拡散により、外部ベース層２１とエミッタ層２７とを自己整合的に形成する。 - 特許庁