「emitter diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for accurately measuring with high precision a diffusion depth of impurities diffused into a silicon substrate from a fine area such as an emitter opening part of a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのエミッタ開口部のような微小な領域からシリコン基板へ拡散した不純物の拡散深さを高い精度で正確に測定することを目的とする。 - 特許庁

Phosphorus glass (PSG film) 2 containing phosphorus (P) is formed on an Si semiconductor substrate 1, and the formation of an emitter by diffusion is finished for a transistor to be formed on a bipolar IC.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１の上に、リン（Ｐ）を含んでいるリンガラス（ＰＳＧ膜）２を形成し、バイポーラＩＣ上に形成すべきトランジスタのエミッタ拡散を終了する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on the epitaxial layer 2, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

エピタキシャル層２上にはＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にはシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

In an n channel type horizontal IGBT 10, a metal silicide layer 9a is formed on a P+ diffusion layer 12 which is isolated from an N-epitaxial layer 4 with a p-base 11 therebetween and an N+ diffusion layer 13 for use as an emitter region.例文帳に追加

ｎチャネル型の横型ＩＧＢＴ１０では、Ｎ-エピタキシャル層４とはｐベース１１を介在させて隔てられているＰ+拡散層１２と、エミッタ領域としてのＮ+拡散層１３とには、金属シリサイド層９ａが形成されている。 - 特許庁

Further, the IGBT 10 has an insulating film 32a which is in contact with a side surface of a gate insulating film 32 between the emitter regions 25 and suppresses diffusion electrons implanted from the emitter regions 25 in a length direction along the side surface of the gate insulating film 32.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０はさらに、エミッタ領域２５間のゲート絶縁膜３２の側面に接しており、エミッタ領域２５から注入される電子が、ゲート絶縁膜３２の側面に沿って長手方向に拡散するのを抑制する絶縁部３２ａを備えている。 - 特許庁

The first N well 9 or a predetermined region contacted with the base region 10 is formed so as to be located from the immediately below an emitter impurities diffusion region 15, for example, to a right side region.例文帳に追加

第１Ｎウェル９は、ベース領域１０に接する所定の領域であって、例えばエミッタ不純物拡散領域１５の直下から右側領域にくるように形成する。 - 特許庁

The surface light emitter 2 uses a transparent base material containing light-diffusion particles and guides light in the longitudinal direction of the transparent base material while scattering light in the thickness direction of the transparent base material.例文帳に追加

面発光体２は光拡散粒子を含有する透明基材を用い、透明基材の厚み方向に光を散乱しながら透明基材の長さ方向に光が導光する。 - 特許庁

An npn-type bipolar transistor Bip1 consisting of an epitaxial layer 2, a base diffusion layer 5, a base connection layer 4 and an emitter diffusion layer 6, and a pn-junction diode D1 consisting of the epitaxial layer 2 and an anode layer 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、エピタキシャル層２、ベース拡散層５、ベース接続層４、エミッタ拡散層６からなるｎｐｎ型バイポーラトランジスタＢｉｐ１と、前記半導体基板１上に、前記エピタキシャル層２、アノード層３からなるｐｎ接合ダイオードＤ１とを形成する。 - 特許庁

A channel P diffusion layer 7 is formed on the outer circumferential side at the surface layer part of the element forming layer 6b, an emitter region 5 is formed to surround the collector region 3 on the outer circumferential side of the unit cell 1 at the surface layer part of the channel P diffusion layer 7, and a base region 4 is formed on the central part side.例文帳に追加

また、素子形成層６ｂの表層部のうち外周側にchannelP拡散層７が形成され、channelP拡散層７の表層部のうち単位セル１の外周側にコレクタ領域３を囲む様にしてエミッタ領域５が形成され、中心部側にベース領域４が形成されている。 - 特許庁

Since the whole circumferential curved surface of the semicircular sectional ring-like diffusion plate functions as a light emitter for radiating the light to all directions, the area to be lighted can be illuminated uniformly.例文帳に追加

半円形断面のリング状拡散板の外周曲面の全体が発光体として機能して全方向に光を放出するので、照明対象領域の全体をむらなく均一に照明できる。 - 特許庁

Hence the diffusion of B from the base layer can be suppressed by making higher the Ge compsns. of the emitter- base junction region and base-collector junction region, which sandwich the base layer than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

したがって、ベース層を挟むエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くすることにより、ベース層からのBの拡散を抑制できる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a small area phototransistor exhibiting a high optical conversion efficiency which can not be attained by a conventional phototransistor having a diffusion emitter structure.例文帳に追加

本発明は、従来の拡散エミッタ構造を有するフォト・トランジスタでは不可能であった光変換効率が良く、かつ小面積であるフォト・トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Consequently, the quantity of a P-type dopant can be made uniform around the opening 4 of the electrode 3 and the diffusion of an external base layer covering the peripheral section of the emitter layer through heat treatment becomes uniform.例文帳に追加

この構成により、Ｐ型ドーパント量を引き出し電極３の開口部４を中心に同量にすることができ、熱処理によるエミッタ層周辺部を覆う外部ベース層の拡散が均一になる。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 10 is provided and planarized, and the lead out electrode 21 connecting with the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is provided to connect to the silicide film 8 on the element isolation film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられる。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for obtaining a complimentary bipolar transistor with a high behavior by maintaining a diffusion depth thereof to be the same degree to form a diffusion layer of a shallow target, and without affecting other diffusion layers, while simultaneously diffusing dopant added from a polycrystalline silicon film in both emitter areas of a PNP transistor and an NPN transistor in the complimentary bipolar transistor.例文帳に追加

相補型バイポーラトランジスタで、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの両方のエミッタ領域を多結晶シリコン膜から添加された不純物を同時に拡散させながら、その拡散深さを同程度で目標の浅い拡散層を形成し、しかも他の拡散層に影響を与えることなく、高特性の相補型のバイポーラトランジスタを得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 10 is then formed to give a flat surface, and then an extension electrode 21 leading to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is so formed as to connect to the silicide film 8 on the element isolating film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられている。 - 特許庁

A GaAs layer is inserted between an InGaP emitter layer and an AlGaAs ballast resistance layer, so as to suppress the diffusion and accession of the hole that is reversely injected from a base layer to the AlGaAs ballast resistance layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＰエミッタ層とＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層の間にＧａＡｓ層を挿入し、ベース層から逆注入された正孔がＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層まで拡散、到達することを抑制する。 - 特許庁

To obtain a photovoltaic device having a diffusion layer structure similar to a selective emitter structure capable of reducing connection resistance of a light reception face side electrode while increasing resistance of a light reception face, and excellent in photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

受光面を高抵抗化しつつ受光面側電極の接続抵抗を低減可能な選択エミッタ構造に類似の拡散層構造を有し、光電変換効率に優れた光起電力装置を得ること。 - 特許庁

To prevent a part becoming CMOSFET from being exposed to excessive heat in a heat treatment for emitter diffusion in a manufacturing method of a semiconductor device where a bipolar transistor and CMOSFET are formed on one substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタとＣＭＯＳＦＥＴを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、ＣＭＯＳＦＥＴとなる部分をエミッタ拡散のための熱処理によって過剰な熱に晒さないようにする。 - 特許庁

To provide a cathode substrate having good electric charge injection efficiency by preventing diffusion of electron emitted from an emitter, of which, the electron injection efficiency is hardly scattered between respective cathode substrates, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

エミッタから放出される電子が拡散することを防止して電荷注入効率がよく、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき難いカソード基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

Light emitted from the side-emitter type light emitting diodes 2 is reflected by inside walls 20 of the outside frame 3, passed through the diffusion plate 4 by bending its traveling direction in the z-axis direction by the prism sheet 5 and emitted to the outside.例文帳に追加

サイドエミッタ型発光ダイオード２から放射された光は、外枠３の内壁２０により反射され、プリズムシート５により進行方向をｚ軸方向に曲げられ、拡散板４を通過して外部に放出される。 - 特許庁

Further, since the channel region of the J-FET can be formed simultaneously with emitter diffusion, IDSS and a pinch-off voltage become stable, and variance in consumption current as the amplifying element is reduced to improve productivity.例文帳に追加

また、Ｊ−ＦＥＴのチャネル領域は、エミツタ拡散31と同時に形成できるため、ＩＤＳＳＳや、ピンチオフ電圧が安定し、増幅素子としての消費電流のばらつきが低減し、生産性が向上する。 - 特許庁

This reflection type image encoding device has: an emitter 101 emitting light; a diffusion type reflective encoder 120 reflecting the light from the emitter; an image forming lens 135 forming a reverse image of the light reflected from the encoder; and a detector 140 receiving the revere image from the image forming lens.例文帳に追加

本発明の一実施例の反射型画像符号化装置は、光を放射するエミッタ（１０１）と、前記エミッタからの光を反射させる拡散型反射性符号器（１２０）と、前記符号器から前記反射した光の反転画像を形成する結像レンズ（１３５）と、前記結像レンズから前記反転画像を受ける検出器（１４０）とを具備する。 - 特許庁

The diffusion region 14 extends to a depth reaching the back face of an element region 31 from the front face of the element region 31 in body regions 6a, 16a between the emitter region 12 and the drift region 22, and divides the body region 6, 16 into a first region 6 in contact with the emitter region 12 and a second region 16 in contact with the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、エミッタ領域１２とドリフト領域２２の間のボディ領域６ａ、１６ａ内において素子領域３１の表面から素子領域３１の裏面に達する深さまで伸びており、ボディ領域６、１６をエミッタ領域１２に接する第１領域６とドリフト領域２２に接する第２領域１６に分離している。 - 特許庁

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。 - 特許庁

An n-type upper impurity diffusion region 115 with its peak concentration higher than that of an n-type drift layer 102 is formed in the region positioning between a collector region 110 and an emitter region 104 out of the surface part of the drift layer 102.例文帳に追加

ドリフト層１０２の表面部のうちコレクタ領域１１０とエミッタ領域１０４との間に位置する領域に、ピーク濃度がＮ型ドリフト層１０２よりも高いＮ型上部不純物拡散領域１１５を形成する。 - 特許庁

The writing transistor WTr is used to write the data into the memory transistor and is a bipolar transistor where an impurity diffusion area 41 is an emitter area, a drain area 35 is a base area, and the channel body 39 is a collector area.例文帳に追加

書込トランジスタＷＴｒは、記憶トランジスタにデータを書込むために利用され、不純物拡散領域４１をエミッタ領域、ドレイン領域３５をベース領域、チャネルボディ３９をコレクタ領域とするバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 serving as a base layer and an n-type diffusion layer 5 serving as the emitter layer are provided on the active region 2a, and a groove 60 is formed on the surface of the region 2a between the SiGe alloy layer 4 and the element isolation film 3.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設け、ＳｉＧｅ合金層４と素子分離膜３との間の活性領域２ａの表面に溝６０が設けられる。 - 特許庁

The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.例文帳に追加

前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 functioning as a base layer and an n-type diffusion layer 5 functioning as a emitter layer are formed, and are encircled with a side wall film 6 consisting of a silicon oxide film.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５が設けられ、さらにＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われている。 - 特許庁

This illuminated push button switch includes a printed board 40 provided with a fixed contact and an emitter, a rubber switch 30 having integrally formed several push button switches respectively having a movable contact and a diffusion part, and a key top part 20, in a state that they are positioned and overlapped with each other.例文帳に追加

固定接点および発光体が配設されるプリント基板４０と、可動接点や拡散部を有する複数の押しボタンスイッチが一体形成されたラバースイッチ３０と、キートップ部２０とを含み、各部が位置合わせされて重ね合わされて形成されるようにする。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.例文帳に追加

各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 501, an n-type GaAs collector layer 502, a p-type GaAs base layer 503, a p-type GaNAs diffusion-preventing layer 504, an n-type AlGaAs emitter layer 505, and an n-type GaAs contact layer 506 are laminated in order through crystal growth.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層５０２、ｐ型ＧａＡｓベース層５０３、ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５０６が結晶成長によって順に積層されて構成されている。 - 特許庁

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method is composed of a process wherein the collector region is formed from the first conductivity type semiconductor substrate 1, and a process wherein the first conductivity type emitter region 6 is formed in the vicinity of the surface of the impurity diffusion layer 5 using a side wall 4 as a mask.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１からコレクタ領域を形成する工程と、前記コレクタ領域の表面近傍に、配線３をマスクとして第２導電型の不純物拡散層５を形成する工程と、前記不純物拡散層５の表面近傍に、サイドウオール４をマスクとして第１導電型のエミッタ領域６を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The light diffusion part 28 by which the light from the light emitter 22 introduced inside of the light guide plate 20 is diffused toward the inside of the box body 12 is formed on the upper surface of the light guide plate 20.例文帳に追加

物品Ｗを収納するためのボックス本体１２と、ボックス本体１２の底部１４に配設される導光板２０と、導光板２０の端部２０ａに対向するように配設される発光体２２と、を備える車両用収納ボックス１０であって、導光板２０の上面には、導光板２０の内部に導入された発光体２２の光をボックス本体１２内に向けて散光させることのできる散光部２８が形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a field emitter electrode, in which carbon nanotubes are aligned in a direction of an electric field generation includes a step where diffusion liquid in which carbon nanotubes (CNTs) is diluted in a solvent is diffused on a base plate fixed on an upper end of a field generation unit and carbon nanotubes aligned in a direction of an electric field generation are fixed.例文帳に追加

カーボンナノチューブが電磁場の発生方向によって整列される電界放出エミッタ電極の製造方法に係り、カーボンナノチューブ（carbon nanotube；ＣＮＴ）を溶媒に希釈させた分散液を、電磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させ、電磁場の発生方向に整列されたカーボンナノチューブを固定させる段階を含む、カーボンナノチューブが電磁場の発生方向によって整列された電界放出エミッタ電極の製造方法に関するものである。 - 特許庁

According to the present invention, even when displacement between a pattern of the high-concentration dopant diffusion layer in the two-stage emitter layer and a pattern of the electrodes arises more than a little in mass production, extreme degradation in photoelectronic conversion efficiency can be suppressed, and as a result, solar battery cells with high efficiency can be manufactured in high yield.例文帳に追加

半導体基板と、この基板の片面に形成されたこれとは異なる導電型の高濃度ドーパント拡散層及びこの高濃度ドーパント拡散層よりもドーパント濃度が低い低濃度ドーパント拡散層を含む二段エミッタ層と、この二段エミッタ層の高濃度ドーパント拡散層と電気的に接続する略平行な複数の細線状の電極とを具備する太陽電池セルであって、上記高濃度ドーパント拡散層が、上記電極の形状に対応する細線状の形状を有し、この細線状高濃度ドーパント拡散層の長手方向に沿って幅方向片側又は両側に高濃度ドーパント拡散層が突出した突出部が複数個形成されてなることを特徴とする太陽電池セル。 - 特許庁