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epilayerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エピ層
「epilayer」を含む例文一覧
該当件数 : 8件
An epilayer is formed by selective epitaxial growth on the element region.例文帳に追加
素子領域に選択エピタキシャル成長によりエピ層が形成される。 - 特許庁
This manufacturing method of the semiconductor element includes steps of: forming the first element; forming the silicon epilayer on the upper side of the first element; forming the connection via penetrating the silicon epilayer; and forming the second element formed on the silicon epilayer, and electrically connected to the connection via.例文帳に追加
この半導体素子の製造方法は、第1素子が形成される段階、第1素子の上側にシリコンエピ層が形成される段階、シリコンエピ層を貫通する連結ビアが形成される段階、及びシリコンエピ層上に形成されて連結ビアと電気的に連結される第2素子が形成される段階を含む。 - 特許庁
To properly implant ions in the facet of a selective epilayer.例文帳に追加
選択エピ層のファセット部におけるイオン注入を適切に行うことを可能にする。 - 特許庁
An impurity is implanted in a region on which the epilayer is provided by an ion implanting method.例文帳に追加
イオン注入法によりエピ層が設けられた領域に不純物が注入される。 - 特許庁
This semiconductor element includes a first element, a silicon epilayer formed on the upper side of the first element, a second element formed on the silicon epilayer, and a connection via electrically connecting the first element to the second element.例文帳に追加
この半導体素子は、第1素子、第1素子の上側に形成されるシリコンエピ層、シリコンエピ層上に形成される第2素子、第1素子と第2素子とを電気的に連結する連結ビアを含む。 - 特許庁
The image sensor includes an epilayer formed with a first conductivity type in a substrate, a photodiode formed in the epilayer, and a first dope region formed with a second conductivity type in a lower portion of the photodiode so as to be separated from the photodiode.例文帳に追加
このため、基板内に第1導電型で形成されたエピ層と、該エピ層内に形成されたフォトダイオードと、該フォトダイオードから分離されるように、前記フォトダイオードの下部に、第2導電型で形成された第1ドープ領域とを含むイメージセンサを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which increase a breakdown voltage by having an embedded layer on an interface between a semiconductor substrate and an epilayer formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板と半導体基板上に形成されたエピ層との界面に埋め込み層を有す半導体装置において、十分な高耐圧化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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「epilayer」を含む例文一覧
該当件数 : 8件
An MOS gate trench device has on-resistance reduced by forming a strained SiGe layer on a silicon surface of trench in a thickness smaller than about 13nm, and forming thin (30nm or smaller than 30nm) layer of silicon epitaxially deposited on the SiGe layer by which an epilayer is converted to a gate oxide layer.例文帳に追加
MOSゲートトレンチ素子は、トレンチのシリコン表面にひずんだSiGe層を約13nmよりも小さな厚さに形成し、エピ層がゲート酸化物層に転化されるSiGe層にエピタキシャル堆積されたシリコンの薄い(30nm又はそれよりも薄い)層を形成することによって、減少されたオン抵抗を有する。 - 特許庁
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