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field‐effect transistorsの英語
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「field‐effect transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 297件
The source follower stage has field-effect transistors 16, 18 and 20.例文帳に追加
ソースフォロア段は、電界効果トランジスタ16,18,20を有する。 - 特許庁
The plurality of the field effect transistors are field effect transistors in which a single crystal semiconductor layer is used as a channel part.例文帳に追加
複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタである。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS例文帳に追加
絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置 - 特許庁
ANALOG SWITCH INCLUDING TWO COMPLEMENTARY MOS ELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS例文帳に追加
二つの相補形MOS電界効果トランジスタを含むアナログスイッチ - 特許庁
To laminate field effect transistors, while suppressing deterioration of crystallinity of semiconductor layers on which the field effect transistors are formed.例文帳に追加
電界効果型トランジスタが形成される半導体層の結晶性の劣化を抑制しつつ、電界効果型トランジスタを積層する。 - 特許庁
Field-effect transistors are formed in the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
電界効果トランジスタが半導体基板10内に形成される。 - 特許庁
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「field‐effect transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 297件
The first and second field-effect transistors constitute a current mirror circuit.例文帳に追加
第1及び第2の電界効果トランジスタはカレントミラー回路を構成する。 - 特許庁
The gate terminals of the field effect transistors FET1, 2 are grounded through respective resistors.例文帳に追加
FET1,2のゲート端子はそれぞれ抵抗を介して接地される。 - 特許庁
The semiconductor device includes a plurality of field effect transistors provided on an insulating layer, and a plurality of memory elements provided on a plurality of field effect transistors.例文帳に追加
絶縁層上に設けられた複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記憶素子とを有する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a plurality of field-effect transistors which are respectively stacked with a planarization layer interposed therebetween over a substrate having an insulating surface, in which semiconductor layers in the plurality of field-effect transistors are separated from semiconductor substrates.例文帳に追加
また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁
The delay insertion gate includes two field effect transistors and a current mirror.例文帳に追加
遅延挿入ゲートは、2つの電界効果トランジスタおよびカレント・ミラーを含む。 - 特許庁
OR CIRCUIT CONSISTING OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND POWER SUPPLY USING IT例文帳に追加
電界効果トランジスタで構成したOR回路およびそれを用いた電源回路 - 特許庁
To provide a semiconductor memory in which n-channel type field effect transistors and p-channel type field effect transistors from memory cells respectively and a word line can be shared by the cells.例文帳に追加
nチャンネル型電界効果トランジスタとpチャンネル型電界効果トランジスタとでメモリセルをそれぞれ形成し、ワード線を共用可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To enhance the current driving capability of field-effect transistors.例文帳に追加
電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上(ドレイン電流の増加)を図る。 - 特許庁
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