gate matrix switchとは 意味・読み方・使い方

In an active matrix type liquid crystal display, a switch element SW1 disposed in a pixel circuit or a sample holding circuit (switch element SW2) set up on an output part of a data line driver 200 are constituted with a CMOS transmission gate.例文帳に追加

アリティブマトリクス型液晶表示装置において、画素回路内に設けられるスイッチ素子ＳＷ１またはデータ線ドライバ２００の出力部に設けられるサンプル・ホールド回路（スイッチ素子ＳＷ２）をＣＭＯＳトランスミッションゲートで構成する。 - 特許庁

A driving circuit for a semiconductor optical amplifier gate switch constituting the matrix optical switch is provided with an operational amplifier which receives input of a driving signal and outputs a current corresponding to the driving signal, an inductance element provided to an output terminal of the operational amplifier, and a circuit formed by connecting a diode element and a resistance element, provided between the inductance element and semiconductor optical amplifier, in parallel.例文帳に追加

マトリクス光スイッチを構成する半導体光増幅器型ゲートスイッチの駆動回路に於いて、駆動信号を入力し該駆動信号に対応した電流を出力するオペレーションアンプと、該オペレーションアンプの出力端子に設けられたインダクタンス素子と、該インダクタンス素子と該半導体光増幅器間に設けられたダイオード素子と抵抗素子を並列接続した回路を設ける。 - 特許庁

A plurality of display pixels PX which are arranged in matrix have a self-luminous element 16, a driving transistor 22 which controls the amount of a current made to flow to the self-luminous element according to a video signal, and a switch 24 which is composed of a thin-film transistor and connected between the gate and the drain of a driving transistor 22.例文帳に追加

マトリクス状に配列された複数の表示画素ＰＸは、自己発光素子１６、自己発光素子に流れる電流量を映像信号に応じて制御する駆動トランジスタ２２、および薄膜トランジスタにより形成され駆動トランジスタのゲート、ドレイン間に接続されたスイッチ２４をそれぞれ有している。 - 特許庁

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided.例文帳に追加

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。 - 特許庁