grown-diffused transistorとは 意味・読み方・使い方

In this case, the source and drain diffused layer, 42 and 43, of the peripheral transistor CT are grown sufficiently long to overlap with the gate electrode 41.例文帳に追加

この場合、周辺トランジスタＣＴのソース・ドレイン拡散層４２，４３はゲート電極部４１とオーバラップするほどに十分に成長する。 - 特許庁

The field effect transistor comprises an N-type epitaxially grown layer 2 provided on a P-type semiconductor substrate 1, a P^+-type isolation diffusion layer 4 provided on the layer 2 of the circumference of the FET forming unit to electrically independently form the FET forming unit, and a P^++-type gate diffused layer 5 provided on the surface side of the layer 2.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１上にＮ型のエピタキシャル成長層２が設けられ、ＦＥＴ形成部を電気的に独立させるため、ＦＥＴ形成部周囲のエピタキシャル成長層２にＰ^+型の分離拡散層４が設けられ、そのエピタキシャル成長層２の表面側にＰ^++型のゲート拡散層５が設けられている。 - 特許庁