grown diffusedとは 意味・読み方・使い方

An Si (epitaxial film 8) is selectively grown on a silicon substrate 1 (diffused layer).例文帳に追加

シリコン基板１（拡散層）上にＳｉ（エピ膜８）を選択成長させる。 - 特許庁

This allows improvement in the crystallinity of the semiconductor layer which is grown on the p-type silicon substrate into which the phosphorus is diffused.例文帳に追加

そのため、リンを拡散させたｐ型シリコン基板上に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。 - 特許庁

Since the direct Si nitride film is grown by using material containing heavy hydrogen, chemical species of hydrogen which is diffused in the gate electrode by heat treatment during and after film formation become heavy hydrogen D.例文帳に追加

直接Ｓｉ窒化膜は重水素を含む原料を用いて成長させたので、成膜時や成膜後の熱処理でゲート電極中へ拡散する水素の化学種は重水素Ｄとなる。 - 特許庁

In this case, the source and drain diffused layer, 42 and 43, of the peripheral transistor CT are grown sufficiently long to overlap with the gate electrode 41.例文帳に追加

この場合、周辺トランジスタＣＴのソース・ドレイン拡散層４２，４３はゲート電極部４１とオーバラップするほどに十分に成長する。 - 特許庁

Then, the film 31 formed on the surfaces of the layer 13S and a drain diffused layer 13D is not grown since the film 31 is coated with the film 32.例文帳に追加

このとき、ソース拡散層１３Ｓ及びドレイン拡散層１３Ｄの表面に形成されているシリコン酸化膜３１は、シリコン窒化膜３２に覆われているため、成長しない。 - 特許庁

A base diffusion layer 6 and a high-density base diffused layer 7 are formed on the face of a semiconductor substrate 1, and an insulating film 8 is grown on the surface thereof.例文帳に追加

表面にベース拡散層６及び高濃度ベース拡散層７が形成された半導体基板１の表面上に絶縁膜８を成長させる。 - 特許庁