heavily doped～の英語

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。 - 特許庁

The drift region 19 includes a heavily-doped region 14 thickly including impurities, and a lightly-doped region 18, including impurities as compared with the heavily-doped region 14.例文帳に追加

ドリフト領域１９は、不純物を濃く含む高濃度領域１４と、高濃度領域１４よりも不純物を薄く含む低濃度領域１８を有する。 - 特許庁

Heavily doped p-type impurity layers are formed on the opposite sides of a silicon substrate 21 such that the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21b on the surface where a diaphragm 10 is not formed is lower than the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21a on the surface where the diaphragm 10 is formed.例文帳に追加

振動板１０を形成しない面の高濃度ｐ型不純物層２１ｂの不純物のドース量が振動板１０を形成する面の高濃度ｐ型不純物層２１ａの不純物のドース量よりも小さくなるように、シリコン基板２１の両面に高濃度ｐ型不純物層を形成した。 - 特許庁

An amorphous silicon film 21 is heavily doped with hydrogen ions 40.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜２１内に高濃度の水素イオン４０をイオン注入する。 - 特許庁

A halogen region which is heavily doped is made under the extended source/drain 310a on the substrate 300.例文帳に追加

高濃度にドープされたハロゲン領域は、基板内の延長ソース／ドレインの下に形成される。 - 特許庁

SILICON EMITTER HAVING HEAVILY DOPED CONTACT LAYER WITH LOW POROSITY例文帳に追加

低多孔率で高濃度にドープされた接触層を有するシリコン製エミッター - 特許庁

A portion where the heavily doped region 22 is in contact with the channel layer 7 functions as a diode.例文帳に追加

高濃度領域２２が、チャネル層７と接触している部分がダイオードとなる。 - 特許庁

EPITAXY METHOD ON SILICON SUBSTRATE INVOLVING REGIONS HEAVILY DOPED WITH BORON例文帳に追加

ほう素で重くド—プされた領域をふくむシリコン基板の上のエピタクシ—の方法 - 特許庁