「heavily doped～」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the periphery of a first P type heavily doped layer 2 constituting the light receiving surface of a semiconductor substrate, a second P type heavily doped layer 6 is formed separately from the first P type heavily doped layer 2.例文帳に追加

半導体基板の表面の受光面を構成する第1のＰ型高濃度層２の周辺に第1のＰ型高濃度層２と離れて第２のＰ型高濃度層６を形成する。 - 特許庁

The region 2 is constituted of a heavily-doped diffused layer 2a and a lightly-doped diffused layer 2b, and the region 3 is constituted of a heavily-doped diffused layer 3a and a lightly-doped diffused layer 3b, consisting of an N- layer.例文帳に追加

ソース領域２は、高濃度拡散層２ａと低濃度拡散層２ｂとにより構成され、ドレイン領域３は、高濃度拡散層３ａとｎ^-層からなる低濃度拡散層３ｂとにより構成される。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。 - 特許庁

The drift region 19 includes a heavily-doped region 14 thickly including impurities, and a lightly-doped region 18, including impurities as compared with the heavily-doped region 14.例文帳に追加

ドリフト領域１９は、不純物を濃く含む高濃度領域１４と、高濃度領域１４よりも不純物を薄く含む低濃度領域１８を有する。 - 特許庁

Heavily doped p-type impurity layers are formed on the opposite sides of a silicon substrate 21 such that the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21b on the surface where a diaphragm 10 is not formed is lower than the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21a on the surface where the diaphragm 10 is formed.例文帳に追加

振動板１０を形成しない面の高濃度ｐ型不純物層２１ｂの不純物のドース量が振動板１０を形成する面の高濃度ｐ型不純物層２１ａの不純物のドース量よりも小さくなるように、シリコン基板２１の両面に高濃度ｐ型不純物層を形成した。 - 特許庁

An amorphous silicon film 21 is heavily doped with hydrogen ions 40.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜２１内に高濃度の水素イオン４０をイオン注入する。 - 特許庁

A halogen region which is heavily doped is made under the extended source/drain 310a on the substrate 300.例文帳に追加

高濃度にドープされたハロゲン領域は、基板内の延長ソース／ドレインの下に形成される。 - 特許庁

SILICON EMITTER HAVING HEAVILY DOPED CONTACT LAYER WITH LOW POROSITY例文帳に追加

低多孔率で高濃度にドープされた接触層を有するシリコン製エミッター - 特許庁

A portion where the heavily doped region 22 is in contact with the channel layer 7 functions as a diode.例文帳に追加

高濃度領域２２が、チャネル層７と接触している部分がダイオードとなる。 - 特許庁

EPITAXY METHOD ON SILICON SUBSTRATE INVOLVING REGIONS HEAVILY DOPED WITH BORON例文帳に追加

ほう素で重くド—プされた領域をふくむシリコン基板の上のエピタクシ—の方法 - 特許庁

A heavily-doped opposite region is loaded between two parts for further enhancing the electric field.例文帳に追加

反対のタイプの密にドープされた領域を２つの部分間に負荷して電界をさらに高める。 - 特許庁

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11.例文帳に追加

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。 - 特許庁

A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に、高濃度ｎ型エピタキシャル層２および低濃度ｎ型エピタキシャル層３をこの順に形成した。 - 特許庁

The drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2 are provided with a two-layer structure comprised of P-type heavily doped diffusion layer and lightly doped diffusion layer.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のドレイン領域をＰ型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による２層構造とする。 - 特許庁

To provide a heavily-doped buried layer that is implanted at a high energy in a lightly-doped separation well.例文帳に追加

高度にドープされかつ高いエネルギで、薄くドープされた分離ウェル中に注入される埋込層を提供する。 - 特許庁

The source S and drain D have a lightly doped extension region (N^- region 151) and a heavily doped region (N^+ region 152), respectively.例文帳に追加

ソースＳ、ドレインＤは、それぞれ低濃度エクステンション領域（Ｎ^−領域１５１）、高濃度領域（Ｎ^＋領域１５２）を有する。 - 特許庁

The SCR has one or more interspersed first heavily doped regions formed in a first lightly doped region and one or more interspersed second heavily doped regions formed in a second lightly doped region.例文帳に追加

本発明の一実施形態では、ＳＣＲは、第１の低濃度ドープ領域内に形成された少なくとも１つの散在する第１の高濃度ドープ領域と、第２の低濃度ドープ領域内に形成された少なくとも１つの散在する第２の高濃度ドープ領域とを有する。 - 特許庁

An n-type lightly doped drift layer 11 is provided so as to cover an n-type heavily doped drain layer 41 from an internal section side of a p-type silicon substrate 100, and an n-type lightly doped drift layer 12 is provided so as to cover an n-type heavily doped source layer 42 likewise.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ドレイン層４１にＰ型シリコン基板１００の内部側から被さるようにＮ型低濃度ドリフト層１１が設けられており、同様にＮ型高濃度ソース層４２に対してＮ型低濃度ドリフト層１２が設けられている。 - 特許庁

A lightly-doped region 10a and a heavily-doped region 12a as the drain region D, and a lightly-doped region 10b and a heavily-doped region 12b as a source region S are formed on the well region.例文帳に追加

そのウェル領域には、ドレイン領域Ｄとしての低濃度不純物領域１０ａおよび高濃度不純物領域１２ａと、ソース領域Ｓとしての低濃度不純物領域１０ｂおよび高濃度不純物領域１２ｂとが形成されている。 - 特許庁

Sources or drains 14 of transistors, and photodiodes 13 which constitute light blocking pixel covered by a light blocking layer 16 are formed in a surface of a highly doped well 20 formed in a lightly doped substrate 11, forming the potential barrier ΔV from the lightly doped substrate 11 toward the heavily doped well 20.例文帳に追加

遮光層１６で覆われた遮光画素を構成するトランジスタのソースまたはドレイン１４およびフォトダイオード１３は、低濃度基板１１に設けられた高濃度ウェル２０の表面に形成されている。 - 特許庁

The channel layer 26 is formed with a heavily- doped n-type region 27 and a heavily-doped p-type region 28, and electrodes 34a and 34b are formed through contact holes 33.例文帳に追加

チャネル層２６には高濃度ｎ型領域２７及び高濃度ｐ型領域２８が形成され、コンタクト孔３３を通じて電極３４ａ，３４ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a transistor having a metal silicide layer formed on the surface of a gate electrode and the surface of a heavily doped region and having a non-silicide region in a part of the heavily-doped region.例文帳に追加

ゲート電極表面と高濃度不純物領域表面とに金属シリサイド層が形成され且つ高濃度不純物領域の一部に非シリサイド領域が設けられたトランジスタを実現する。 - 特許庁

A heavily boron-doped diamond layer 3a to be a source and a heavily boron-doped diamond layer 3b to be a drain are formed on a single crystal subtrate 1 of a diamond with its surface being {100} face by a selective growth method.例文帳に追加

表面が｛１００｝面であるダイヤモンドの単結晶基板１上に、選択成長法により、ソースとなる高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層３ａ及びドレインとなる高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層３ｂを形成する。 - 特許庁

An N-type heavily-doped source region 211 and a P-type heavily-doped main body region 210 are arranged in the upper part of the well region 207.例文帳に追加

Ｎ型に多量にドープされたソース領域２１１と、Ｐ型に多量にドープされた本体領域２１０は、ウェル領域２０７内上方に配置する。 - 特許庁

The gate device is also provided with source region 216 which are heavily doped to first conductivity-type by selective implantation and formed adjacent to the trench gate 213 and more heavily doped main body regions 217 in the upper parts of the second conductivity-type well layers 215.例文帳に追加

又、選択的な注入によりトレンチゲート２１３に隣接して第１導電型に重くドープしたソース領域２１６と第２導電型ウエル層２１５上部により重くドープした本体領域２１７を設ける。 - 特許庁

Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加

さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁

Ohmic electrodes 111, 112 and 113 are formed on the surfaces of the anode-electrode side heavily-doped, cathode-electrode side heavily- doped, and Schottky-electrode side heavily-doped semiconductor layers 105, 110 and 102, respectively, and at the same time, a Schottky electrode 115 is formed on the surface of the Schottky-electrode side lightly-doped semiconductor layer 103.例文帳に追加

アノード電極側高濃度半導体層１０５の表面およびカソード電極側高濃度半導体層１１０の表面、並びにオーミック電極側高濃度半導体層１０２の表面にそれぞれオーミック電極１１１，１１２，１１３を形成するとともに、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３の表面にショットキー電極１１５を形成する。 - 特許庁

Between the channel region 114 using the microcrystal silicon and the heavily doped amorphous silicon layer 116 and/or the heavily doped amorphous silicon layer 117, the lightly doped semiconductor layers 120 and 121 are provided.例文帳に追加

微結晶シリコンを用いたチャンネル領域１１４と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１６及び／又は高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１７との間に低不純物濃度半導体層１２０，１２１を設けることにより、良好にリーク電流を抑制することができる。 - 特許庁

This semiconductor device includes a second conductive heavily doped area (170) and a vertical lightly doped area (500) surrounding the heavily doped area formed on a gate electrode (130) disposed on a first conductive semiconductor substrate (100) and the semiconductor substrate at both the sides of the gate electrode.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板(100)上に配置されるゲート電極(130)及びゲート電極の両側の半導体基板に形成され、第２導電型を有する高濃度領域(170)と高濃度領域を囲む垂直低濃度領域(500)を含む。 - 特許庁

Related to the manufacturing method for a bipolar transistor, the external base region is formed into a heavily-doped region and a lightly-doped region at a ratio between them, by only changing the layout pattern of the heavily-doped external base region 8, so that the number of manufacturing processes will not increase, resulting in easier manufacture and shorter construction period.例文帳に追加

また、バイポーラトランジスタの製造方法は、高濃度外部ベース領域８のレイアウトパターンを変更することだけで、外部ベース領域が任意の比率で高濃度の領域と低濃度の領域とに形成されることにより、製造工程の数が増えないので、製造が容易で工期が短くなる。 - 特許庁

A p+ anode region 2, which is a heavily doped second conductivity type region, and an n+ cathode region 3, which is a heavily doped first conductivity type region, are formed holding a drift region between them in the main surface on one side of the main surfaces of an N-type semiconductor substrate 1 which is a lightly doped first conductivity type.例文帳に追加

低濃度第一導電型であるｎ−型の半導体基板１の一主表面にドリフト領域を挟んで高濃度第二導電型不純物領域であるｐ＋型アノード領域２と、高濃度第一導電型不純物領域であるｎ＋型カソード領域３とが形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a metal electrode 7 becoming a source electrode is formed on the heavily doped diamond layer 2, a metal electrode 8 becoming a drain electrode is formed on the heavily doped diamond layer 3, and a metal electrode 9 becoming a gate electrode is formed on the doped diamond layer 6 thus fabricating a diamond transistor 10.例文帳に追加

更に、高ドープダイヤモンド層２上にソース電極となる金属電極７、高ドープダイヤモンド層３上にドレン電極となる金属電極８、ドープダイヤモンド層６上に、ゲート電極となる金属電極９を形成し、ダイヤモンドトランジスタ１０にする。 - 特許庁

The semiconductor layers comprises a doped region used for a collector and a heavily-doped region which is adjacent to the doped region and used as a reach-through structure, between the insulator layers and a collector contacts electrode.例文帳に追加

この半導体層は、コレクタとして使用するドープした領域と、このドープした領域に隣接し、絶縁体層とコレクタ接点電極の間のリーチスルーとして使用する濃くドープした領域とを含む。 - 特許庁

A bipolar transistor is fabricated by forming the base and emitter on the lightly doped layer 12 side of a semiconductor wafer having a heavily doped layer 11 and the lightly doped layer 12.例文帳に追加

高濃度層１１と低濃度層１２をもつ半導体ウェハの低濃度層１２側にベース、エミッタを形成してバイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

Under the first sidewall 25 in the n-type well region 11, a p-type lightly-doped layer 23 is formed, while a p-type heavily-doped layer 28 is formed on the outside of the p-type lightly-doped layer.例文帳に追加

ｎ型ウェル領域１１における第１のサイドウォール２５の下側にはｐ型低濃度不純物層２３が形成されていると共に、該ｐ型低濃度不純物層２３の外側にはｐ型高濃度不純物層２８が形成されている。 - 特許庁

In addition, the drain diffusion well (115) has lightly-doped regions (145) between heavily-doped regions (150), and an end portion of the lightly-doped region (155) substantially coincides with the outer peripheral portion (140) defined by the gate corner (125).例文帳に追加

また、ドレイン拡散ウエル(115)は、高ドープ領域(150)の間に低ドープ領域(145)を有し、低ドープ領域(155)の端部は、ゲートコーナ(125)によって定められた外周部(140)と実質的に一致する。 - 特許庁

A heavily doped P type area 13 whose impurity concentration is high is formed so as to be brought into contact with a covered area 15a covered with the conductive film 21, and a heavily doped N type area 11 for extracting an electrode at the semiconductor side is formed and provided with a terminal 17 connected with the heavily doped P type area 13.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１５上に導電膜２１で覆われる被覆領域１５ａに接するように、不純物濃度の高い高濃度Ｐ型領域１３を設け、さらに、半導体側の電極を引き出すための高濃度Ｎ型領域１１を設けて高濃度Ｐ型領域１３と接続し、端子１７を設ける。 - 特許庁

The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.例文帳に追加

この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁

A thin-film transistor 30 on an element substrate 10 has: a bottom gate structure; and a GOLD structure including a channel region 1g, a lightly-doped source region 1b, a lightly-doped drain region 1c, a heavily-doped source region 1d and a heavily-doped drain region 1e in an island-like semiconductor film 1a formed of a polysilicon film.例文帳に追加

素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。 - 特許庁

The drain of an MOS transistor formed on a first conductivity type semiconductor substrate 1 comprises a second conductivity type first lightly doped diffusion layer 14, a second conductivity type first heavily doped diffusion layer 19, a second conductivity type first lightly doped diffusion layer 21, and second conductivity type second heavily doped diffusion layer 18 formed sequentially from the side close to a gate electrode 12.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのドレインが、ゲート電極１２に近い側から順に、第２導電型の第１の低濃度拡散層１４と、第２導電型の第１の高濃度拡散層１９と、第２導電型の第１の低濃度拡散層２１と、第２導電型の第２の高濃度拡散層１８とを備える。 - 特許庁

The FWD-integrated IGBT has a p^+ heavily-doped collector layer 12 which determines the hole injection quantity, a p^- light-doped collector layer 11 serving for absorbing the variations in the wafer backside polishing quantity, and an n^+ collector short-circuited region 13 piercing the p^+ heavily-doped collector layer 12 and the p^- lightly-doped collector layer 11.例文帳に追加

本発明のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴは、正孔の注入量を決めるｐ^＋高濃度コレクタ層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^−低濃度コレクタ層１１と、ｐ^＋高濃度コレクタ層１２及びｐ^−低濃度コレクタ層１１を貫通しているｎ^＋コレクタ短絡領域１３とを有している。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited overlying the semiconductor substrate, gate electrode, and dielectric spacers wherein the polysilicon layer is heavily doped.例文帳に追加

基板、ゲート電極、及び誘電体スペーサーの上にポリシリコン層を堆積し、この層を高濃度にドープする。 - 特許庁

By oxidizing the main surface of the nitride semiconductor substrate, a heavily doped region 14 is preferably oxidized selectively.例文帳に追加

窒化物半導体基板の主面を酸化することで、不純物で高濃度化された領域１４が選択的に酸化されることが好ましい。 - 特許庁

To solve a problem that carriers generated from other than a P type heavily doped layer contribute, as a photocurrent, to diffusion and thus deteriorate the response.例文帳に追加

Ｐ型高濃度層以外からの生成キャリアが拡散により光電流として寄与してしまい、応答性が悪くなる。 - 特許庁

Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長技術でｐ層、ｎ層を形成しているので高不純物濃度のｐｎ接合が精度よく形成される。 - 特許庁