「heavily doped～」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Between the heavily doped diamond layers 2 and 3, a diamond layer 4 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer, a diamond layer 6 doped with B and becoming a gate, and a diamond layer 5 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer are formed in this order.例文帳に追加

また、高ドープダイヤモンド層２と高ドープダイヤモンド層３との間には、極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層４、Ｂがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層６、及び極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層５をこの順に形成する。 - 特許庁

A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加

ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁

An impurity concentration of the heavily doped DBR 112A is higher than that of the DBR 112B, and the band gap energy of the high refractive index layer in the heavily-doped DBR 112A is higher than energy at the wavelength of a resonator formed of the DBR 106, the active region, the current constriction layer, and the DBRs 112A and 112B.例文帳に追加

高濃度ＤＢＲ１１２Ａの不純物濃度は、ＤＢＲ１１２Ｂの不純物濃度よりも高く、高濃度ＤＢＲ１１２Ａの高屈折率層のバンドギャップエネルギーは、ＤＢＲ１０６、活性領域、電流狭窄層、ＤＢＲ１１２Ａ、１１２Ｂから形成される共振器波長のエネルギーよりも大きい。 - 特許庁

A VCSEL comprises a GaAs substrate, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a p-type current constriction layer formed on the active region, a p-type heavily-doped DBR 112A formed on the current constriction layer, and a p-type DBR 112B formed on the heavily-doped DBR 112A.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６と、活性領域１０８と、活性領域上に形成されたｐ型の電流狭窄層と、電流狭窄層上に形成されたｐ型の高濃度ＤＢＲ１１２Ａと、高濃度ＤＢＲ１１２Ａ上に形成されたｐ型のＤＢＲ１１２Ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a method for measuring a phonon wavenumber of a 3C-SiC layer on a heavily doped Si substrate, which can simply measure a phonon spectrum of the 3C-SiC layer in non-destruction, high accuracy and high resolution in regard to a wafer wherein the 3C-SiC layer is formed on a heavily doped Si substrate by using an infrared reflection method.例文帳に追加

赤外反射法を用いて、ヘビードープＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるヘビードープＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。 - 特許庁

In the bipolar transistor using the temperature characteristics of the forward voltage generated between emitter-base, a heavily doped region for a base electrode which is a second conductive type, and a heavily doped region for a collector electrode which is a first conductive type are directly contacted, the element area is reduced by not forming an unnecessary isolation region.例文帳に追加

エミッタ-ベース間に発生する順方向電圧の温度特性を利用するバイポーラトランジスタにおいて、第二の導電型であるベース電極用高濃度不純物領域と、第一の導電型であるコレクタ電極用高濃度不純物領域とを直接に接触させ、不要な分離領域を形成しないことで素子面積を縮小する。 - 特許庁

In a process for growing a first nitride compound semiconductor layer in which a nitride semiconductor substrate is doped with n-type impurities, the main surface of the nitride semiconductor substrate is partially heavily doped and the first semiconductor layer is grown.例文帳に追加

本発明では、窒化物半導体基板上にｎ型不純物をドーピングした第１の窒化物化合物半導体層を成長する工程において、窒化物半導体基板の主面を部分的に前記不純物で高濃度化した後に第１の半導体層を成長する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device forms a mesa composed of a plurality of trenches by etching an active region of a semiconductor substrate 3 including a first heavily doped region of a first conductivity type and a second lightly doped region of a second conductivity type.例文帳に追加

半導体ディバイスの製造方法は、強くドープされた第１導電率形の第１領域と、弱くドープされた第２導電率形の第２領域とを含む半導体基板３の作動領域をエッチングして複数個の溝からなるメサを形成する。 - 特許庁

The resist thin film 15a is etched back, thus forming a sidewall spacer 15b on the sidewall of the gate electrode 4 before the impurities are doped in the semiconductor thin film 2 with the sidewall spacer 15b and the gate electrode 4 as the mask and forming a heavily doped region (n^+).例文帳に追加

レジスト薄膜１５ａをエッチバックすることにより、ゲート電極４の側壁にサイドウォールスペーサ１５ｂを形成した後、サイドウォールスペーサ１５ｂおよびゲート電極４をマスクとして半導体薄膜２中に不純物をドープし、高濃度不純物領域（ｎ^＋）を形成する。 - 特許庁

A source/drain heavily doped region 48 is located to the convex portion regions both side of the gate electrode 46 provided to the concave portion region; and a source/drain low concentration region 47 is formed between the source/drain havily-doped region 48 and the gate electrode 46.例文帳に追加

凹部領域に設けられたゲート電極４６の両側の凸部領域にはソース・ドレイン高濃度領域４８が位置し、ソース・ドレイン高濃度領域４８とゲート電極４６の間にはソース・ドレイン低濃度領域４７が形成されている。 - 特許庁

A first MOSFET comprises a first n-type gate electrode 13A, formed on a first gate insulating film 12 of a relatively thin film thickness, while a first lightly-doped layer 18 is provided on the channel region side of a first heavily-doped impurity layer 24.例文帳に追加

第１のＭＯＳＦＥＴは、相対的に小さい膜厚を持つ第１のゲート絶縁膜１２の上に形成された第１のｎ型ゲート電極１３Ａを有すると共に、第１の高濃度不純物層２４のチャネル領域側に第１の低濃度不純物層１８を有している。 - 特許庁

In the diode, a lightly doped P-type semiconductor region 3 is partially formed on the surface of an N-type semiconductor layer 1, and a heavily doped P^+-type semiconductor region 4 is formed shallower than this region 3 in depth so as to embed a gap between these regions 3.例文帳に追加

本発明のダイオードは、Ｎ型半導体層１の表面に、低不純物濃度のＰ型半導体領域３が部分的に形成され、この領域３の間隙を埋めるようにこの領域３よりも浅くかつ高不純物濃度のＰ^＋型半導体領域４が形成されている。 - 特許庁

Most of a lightly-doped n-type dopant diffusion region 32, which constitutes the drain region, offset region 38, and heavily-doped n-type dopant diffusion region 40, is formed inside the strained silicon layers 23 and 35, wherein the electron mobility is higher than that in normal silicon layers.例文帳に追加

そしてドレイン領域を形成する低濃度ｎ型不純物拡散領域３２、オフセット領域３８および高濃度ｎ型不純物拡散領域４０の大半を、電子の移動度が通常のシリコン層よりも高い歪シリコン層２３および歪シリコン層３５内に形成する。 - 特許庁

Implantation of dopant element such as Phosphorus is performed by using the gate electrode 20 as a mask, a heavily doped n^+-type region 22a as a source/drain region, a lightly doped n^--type region 22b and a channel region 24 which are shown in Fig. (B) are formed finally.例文帳に追加

該ゲート電極２０をマスクとしてリンなどの不純物元素のイオン打ち込みを行うことで、最終的には図３（Ｂ）に示すようなソース／ドレイン領域としての高濃度のＮ^+型不純物拡散領域２２ａ、低濃度のＮ^-型不純物拡散領域２２ｂ、及びチャネル領域２４が形成される。 - 特許庁

A lightly doped impurity layer is grown epitaxially on the footprint of a contact hole in order to decrease an aspect ratio, to improve coverage of a titanium nitride film on the sidewall of a contact hole, and to prevent ingress of metal from the sidewall of a contact hole to a heavily doped active region.例文帳に追加

コンタクトホール底面に低濃度不純物層をエピタキシャル成長させることでアスペクト比を小さくしコンタクトホール側壁部の窒化チタン膜のカバレッジを良くし、メタルのコンタクトホール側壁部からの高不純物ドープ活性領域への侵入を防止する。 - 特許庁

To provide a low resistance p-type III nitride semiconductor, and its producing method, in which a mother crystal can be doped efficiently and heavily with three atom complex dopant.例文帳に追加

効率よく高濃度に３原子複合体ドーパントを母体結晶中にドーピングできる低抵抗のｐ型III族窒化物半導体およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

A first sidewall 15a and a second sidewall are formed on the side face of the gate electrode 3a and used as a mask for forming a heavily doped source-drain region 9 by ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３ａの側面上に第１サイドウォール１５ａと、第２サイドウォールとを形成した後、これをマスクとして用いるイオン注入により、高濃度ソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can reduce contact resistance as compared with a conventional one by forming an interface containing heavily-doped germanium, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

ゲルマニウムを高濃度に含む界面を形成することができ、従来に比べてコンタクト抵抗を低下させることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film epitaxial wafer by simply suppressing and controlling auto-doping of impurities from a heavily doped underlying silicon wafer.例文帳に追加

高濃度不純物を含有する下地シリコンウェーハからの不純物のオートドープを簡便に抑制し制御してエピタキシャルウェーハを製造する薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor body is then exposed to an environment suitable for oxidation, to thicken the remaining portions of the initial oxide film, thereby forming the gate oxide film, and to form the tunnel oxide film over the heavily doped N+ layer.例文帳に追加

初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたＮ＋層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。 - 特許庁

Consequently, the film thickness of the silicon oxide film 7a formed on the surface of the heavily doped area 6 becomes larger than that of the trench 5 except the terminal part, so that the gate reliability can be obtained.例文帳に追加

これにより、高濃度不純物領域６の表面に形成されたシリコン酸化膜７ａの膜厚がトレンチ５の終端部以外の部位よりも大きくなって、ゲート信頼性を得ることができる。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulation film 10 is deposited, a contact hole Hct reaching the heavily doped source-drain region 9 is made and a plug electrode 11 is formed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０の堆積と、高濃度ソース・ドレイン領域９に到達するコンタクトホールＨctの形成と、プラグ電極１１の形成とを行なう。 - 特許庁

A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.例文帳に追加

第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁

To provide an SBD which uses an inexpensive n-type heavily doped semiconductor substrate without epitaxial layer to lower a forward voltage and can keep breakdown voltage while keeping the forward voltage lower.例文帳に追加

順方向電圧を低くするためにエピタキシャル層のない安価なＮ型高濃度半導体基板を用い、順方向電圧を低くしたまま耐圧を維持可能なＳＢＤを提供する。 - 特許庁

Then, after a side wall 7 and a high concentration ion implanted layer 9 for source and drain are formed, a second RTA treatment is conducted to form a heavily doped source and drain layer 9a.例文帳に追加

その後、サイドウォール７及び高濃度ソース・ドレイン用イオン注入層９を形成した後、第２のＲＴＡ処理を行なって高濃度ソース・ドレイン拡散層９ａを形成する。 - 特許庁

A heavily doped region having a conductivity type identical to that of the semiconductor substrate 100 is arranged in the semiconductor substrate below the tunnel insulation film pattern 116.例文帳に追加

トンネル絶縁膜パターン１１６の下部の半導体基板内には半導体基板１００のような導電型の不純物を含む高濃度不純物領域が配置される。 - 特許庁

On the source and drain electrodes, a channel layer 340 of a semiconductor oxide made of InGaZnO_4 is directly formed, and satisfactory ohmic contact is obtained while omitting a heavily doped layer.例文帳に追加

その上に、ＩｎＧａＺｎＯ_４からなる酸化物半導体のチャネル層３４０を直接形成して、高濃度不純物拡散層を省略しつつ、良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

On a diamond substrate 1, diamond layers 2 and 3 doped heavily with B and becoming the source and drain, respectively, are formed locally.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１上に、高濃度にＢがドープされ夫々ソース及びドレインとなる高ドープダイヤモンド層２及び３を局所的に形成する。 - 特許庁

The first collector layer 30 is heavily doped so that electrons in the collector region 50 migrate to the base region 20 through tunnel effect under room temperature.例文帳に追加

第１コレクタ層３０は、室温でコレクタ領域５０の電子がトンネル効果によりベース領域２０に移動するように、高い濃度にドーピングされている。 - 特許庁

To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁

Since diffusion of electrons is not impeded, the heterojunction bipolar transistor capable of sustaining high speed operation even under a heavily doped state can be obtained and the performance of a circuit employing the transistor can be enhanced.例文帳に追加

このため、電子の拡散が阻害されないことから、高注入状態においても、高速動作性能を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高性能化が可能となる。 - 特許庁

Since a region doped heavily with Zn can be located in the vicinity of the active layer 5, carriers can be confined sufficiently in the active layer 5, resulting in enhancement of the element characteristics.例文帳に追加

これにより、Ｚｎ濃度が高濃度に維持された高濃度領域を活性層５の近傍に位置するように構成することができるので、活性層５に十分にキャリアを閉じ込めることができ、その結果、素子特性を向上させることができる。 - 特許庁

The spreading of a depletion layer is suppressed by forming a heavily doped impurity region between a gate electrode and an electrode pad of an FET, a second FET having contiguous wiring, a gate metal layer, and an impurity layer.例文帳に追加

ＦＥＴのゲート電極および電極パッド、配線が隣接する他のＦＥＴ、ゲート金属層、不純物領域との間に高濃度不純物領域を設けて空乏層の広がりを抑制する。 - 特許庁

The percentages composition of Ge in the buffer layer 3 and spacer layer 4 are 10% and that of Ge in the heavily-doped layer 4 is 20%.例文帳に追加

ＳｉＧｅバッファ層３及びスペーサー層５におけるＧｅ組成率は１０％であり、ｎ型高濃度ドープ層４におけるＧｅ組成率は２０％である。 - 特許庁

In a transistor 40A, a source region 420 and a drain region 430 are heavily doped regions where impurities are introduced in self-alignment with a gate electrode 460.例文帳に追加

トランジスタ４０Ａにおいて、ソース領域４２０およびドレイン領域４３０は、ゲート電極４６０に対してセルフアライン的に不純物が導入された高濃度領域である。 - 特許庁

No heavily doped region such as the drain region 8b is formed in the region between the side wall 6 and the silicide block film 9, to suppress concentration of electric field at the end of the LDD region 7b.例文帳に追加

サイドウォール６とシリサイドブロック膜９との間の領域にドレイン領域８ｂのような高不純物濃度の領域を形成せず、それにより、ＬＤＤ領域７ｂ端部の電界集中を抑制する。 - 特許庁

To provide a method capable of fabricating a thin semiconductor device without remodeling the facilities and capable of forming a thin and heavily doped P^+ type semiconductor layer, i.e. a collector layer, with high accuracy.例文帳に追加

設備を改造することなく薄型の半導体装置を形成することができ、また薄い高不純物濃度のＰ^＋型半導体層であるコレクタ層を精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the embedded layer 13 is doped heavily, carriers generated by irradiation recombine in the embedded layer 13, to disappear and the epitaxial layer 12 becomes an active region, thus reducing the sensitivity with respect to light of long wavelength.例文帳に追加

埋込層１３が高濃度であるために光照射によって発生したキャリアが埋込層１３で再結合して消滅するため、結果的にエピタキシャル層１２が活性領域となって長波長の光に対する感度が低下する。 - 特許庁

As a result, there is no need to conduct masking which avoids the exposed region of the high heavily-doped layer 30a, when patterning in a device forming process is performed.例文帳に追加

この結果、デバイス作製工程のパターン付けをする際は、この従来の高濃度不純物層３０ａの露出した領域を避けてマスキングする必要がない。 - 特許庁

Node contact resistance can be decreased because the N type diffusion layers 106ba, the gate electrodes 104ab, and the heavily-doped polysilicon region 111aa of the high resistance load are interconnected by the silicide layer 110.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１０６ｂａ、ゲート電極１０４ａｂ、高抵抗負荷の高濃度ポリシリコン領域１１１ａａとはシリサイド層１１０によって互いに接続するため、ノード・コンタクト抵抗は低く抑えられる。 - 特許庁

In an HCMOS, an n-type SiGe heavily-doped layer 4, an SiGe spacer layer 5, and an Si n-channel layer 6 are provided in this order on an SiGe buffer layer 3.例文帳に追加

ＨＣＭＯＳにおいて、ＳｉＧｅバッファ層３の上に、ＳｉＧｅからなるｎ型高濃度ドープ層４と、ＳｉＧｅからなるスペーサー層５と、Ｓｉからなるｎチャネル層６とが設けられている。 - 特許庁

Furthermore, the source/drain diffusion layer 20, containing a low concentration doping region 16 and a heavily-doped region, and a silicide layer 30 on the source/drain diffusion layer 20 are provided.例文帳に追加

さらに、低濃度ドーピング領域１６、高濃度ドーピング領域からなるソース／ドレイン拡散層２０、ソース／ドレイン拡散層２０上のシリサイド層３０を備える。 - 特許庁

A P-type heavily doped region 33, having an end located apart from the end of an gate electrode 24 by the width of a sidewall insulating film 29, is formed.例文帳に追加

また、ゲート電極２４の端からサイドウォール絶縁膜２９の幅だけ離れた位置に端部を有するｐ型高濃度不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a deep trench structure for effectively isolating heavily doped wells of neighboring elements from each other at a high operating voltage.例文帳に追加

高電圧の動作電圧に応じて高濃度にドープされる隣り合う素子のウェルとウェルを効率よく隔離するためのディープトレンチ構造を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

Each source finger includes a heavily-doped region of the first conductivity-type, in contact with the epitaxial layer and with the corresponding source finger, and the rear surface of the substrate is coated with a source metallization.例文帳に追加

各ソース指は、エピタキシャル層と対応するソース指に接触する、第１導電型の重くドープされた領域をふくみ、基板の裏面はソースメタライゼーションで被覆される。 - 特許庁