「"heavily doped～"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An amorphous silicon film 21 is heavily doped with hydrogen ions 40.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜２１内に高濃度の水素イオン４０をイオン注入する。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

A halogen region which is heavily doped is made under the extended source/drain 310a on the substrate 300.例文帳に追加

高濃度にドープされたハロゲン領域は、基板内の延長ソース／ドレインの下に形成される。 - 特許庁

SILICON EMITTER HAVING HEAVILY DOPED CONTACT LAYER WITH LOW POROSITY例文帳に追加

低多孔率で高濃度にドープされた接触層を有するシリコン製エミッター - 特許庁

A portion where the heavily doped region 22 is in contact with the channel layer 7 functions as a diode.例文帳に追加

高濃度領域２２が、チャネル層７と接触している部分がダイオードとなる。 - 特許庁

EPITAXY METHOD ON SILICON SUBSTRATE INVOLVING REGIONS HEAVILY DOPED WITH BORON例文帳に追加

ほう素で重くド—プされた領域をふくむシリコン基板の上のエピタクシ—の方法 - 特許庁

A heavily-doped opposite region is loaded between two parts for further enhancing the electric field.例文帳に追加

反対のタイプの密にドープされた領域を２つの部分間に負荷して電界をさらに高める。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is composed of a heavily-doped n-type layer 2 and a lightly-doped n-type layer 3 on it.例文帳に追加

半導体基板１は高濃度ｎ型層２とその上の低濃度ｎ型層３からなる。 - 特許庁

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11.例文帳に追加

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。 - 特許庁

The channel layer 26 is formed with a heavily- doped n-type region 27 and a heavily-doped p-type region 28, and electrodes 34a and 34b are formed through contact holes 33.例文帳に追加

チャネル層２６には高濃度ｎ型領域２７及び高濃度ｐ型領域２８が形成され、コンタクト孔３３を通じて電極３４ａ，３４ｂが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer has a channel region, a heavily doped impurity region functioning as a source region and a drain region, and a lightly doped impurity region formed between the heavily doped impurity region and the channel region.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域と、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域と、高濃度不純物領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域とを有する。 - 特許庁

The drift region 19 includes a heavily-doped region 14 thickly including impurities, and a lightly-doped region 18, including impurities as compared with the heavily-doped region 14.例文帳に追加

ドリフト領域１９は、不純物を濃く含む高濃度領域１４と、高濃度領域１４よりも不純物を薄く含む低濃度領域１８を有する。 - 特許庁

To provide a transistor having a metal silicide layer formed on the surface of a gate electrode and the surface of a heavily doped region and having a non-silicide region in a part of the heavily-doped region.例文帳に追加

ゲート電極表面と高濃度不純物領域表面とに金属シリサイド層が形成され且つ高濃度不純物領域の一部に非シリサイド領域が設けられたトランジスタを実現する。 - 特許庁

The region 2 is constituted of a heavily-doped diffused layer 2a and a lightly-doped diffused layer 2b, and the region 3 is constituted of a heavily-doped diffused layer 3a and a lightly-doped diffused layer 3b, consisting of an N- layer.例文帳に追加

ソース領域２は、高濃度拡散層２ａと低濃度拡散層２ｂとにより構成され、ドレイン領域３は、高濃度拡散層３ａとｎ^-層からなる低濃度拡散層３ｂとにより構成される。 - 特許庁

An N-type heavily-doped source region 211 and a P-type heavily-doped main body region 210 are arranged in the upper part of the well region 207.例文帳に追加

Ｎ型に多量にドープされたソース領域２１１と、Ｐ型に多量にドープされた本体領域２１０は、ウェル領域２０７内上方に配置する。 - 特許庁

The gate device is also provided with source region 216 which are heavily doped to first conductivity-type by selective implantation and formed adjacent to the trench gate 213 and more heavily doped main body regions 217 in the upper parts of the second conductivity-type well layers 215.例文帳に追加

又、選択的な注入によりトレンチゲート２１３に隣接して第１導電型に重くドープしたソース領域２１６と第２導電型ウエル層２１５上部により重くドープした本体領域２１７を設ける。 - 特許庁

Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加

さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁

A heavily doped P type area 13 whose impurity concentration is high is formed so as to be brought into contact with a covered area 15a covered with the conductive film 21, and a heavily doped N type area 11 for extracting an electrode at the semiconductor side is formed and provided with a terminal 17 connected with the heavily doped P type area 13.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１５上に導電膜２１で覆われる被覆領域１５ａに接するように、不純物濃度の高い高濃度Ｐ型領域１３を設け、さらに、半導体側の電極を引き出すための高濃度Ｎ型領域１１を設けて高濃度Ｐ型領域１３と接続し、端子１７を設ける。 - 特許庁

The semiconductor laser element 30 comprises an active layer 5, a heavily doped p-type first clad layer 8 formed on the active layer 5, a first undoped layer 7 formed between the active layer 5 and the heavily doped p-type first clad layer 8, and a second undoped layer 9 formed on the heavily doped p-type first clad layer 8.例文帳に追加

この半導体レーザ素子３０は、活性層５と、活性層５上に形成される高濃度ｐ型第１クラッド層８と、活性層５と高濃度ｐ型第１クラッド層８との間に形成される第１アンドープ層７と、高濃度ｐ型第１クラッド層８上に形成される第２アンドープ層９とを備えている。 - 特許庁

Ohmic electrodes 111, 112 and 113 are formed on the surfaces of the anode-electrode side heavily-doped, cathode-electrode side heavily- doped, and Schottky-electrode side heavily-doped semiconductor layers 105, 110 and 102, respectively, and at the same time, a Schottky electrode 115 is formed on the surface of the Schottky-electrode side lightly-doped semiconductor layer 103.例文帳に追加

アノード電極側高濃度半導体層１０５の表面およびカソード電極側高濃度半導体層１１０の表面、並びにオーミック電極側高濃度半導体層１０２の表面にそれぞれオーミック電極１１１，１１２，１１３を形成するとともに、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３の表面にショットキー電極１１５を形成する。 - 特許庁

A heavily doped n type epitaxial layer 2 and a lightly doped n type epitaxial layer 3 are formed sequentially on a p type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に、高濃度ｎ型エピタキシャル層２および低濃度ｎ型エピタキシャル層３をこの順に形成した。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited overlying the semiconductor substrate, gate electrode, and dielectric spacers wherein the polysilicon layer is heavily doped.例文帳に追加

基板、ゲート電極、及び誘電体スペーサーの上にポリシリコン層を堆積し、この層を高濃度にドープする。 - 特許庁

By oxidizing the main surface of the nitride semiconductor substrate, a heavily doped region 14 is preferably oxidized selectively.例文帳に追加

窒化物半導体基板の主面を酸化することで、不純物で高濃度化された領域１４が選択的に酸化されることが好ましい。 - 特許庁

To solve a problem that carriers generated from other than a P type heavily doped layer contribute, as a photocurrent, to diffusion and thus deteriorate the response.例文帳に追加

Ｐ型高濃度層以外からの生成キャリアが拡散により光電流として寄与してしまい、応答性が悪くなる。 - 特許庁

Since the p-layer and the n-layer are formed by epitaxial growth technology, a heavily doped pn junction is formed with high accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長技術でｐ層、ｎ層を形成しているので高不純物濃度のｐｎ接合が精度よく形成される。 - 特許庁

Furthermore, n^+-type areas 17 are arranged as the heavily doped layer of source/drain at the both sides with the area of a gate electrode 15 interposed.例文帳に追加

さらにソース・ドレインの高濃度拡散層としてＮ^＋型領域１７がゲート電極１５の領域を隔てて両側に設けられている。 - 特許庁

A contact 25 for connecting the drain of the MOS transistor with the outside is formed on the second heavily doped diffusion layer 18.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのドレインと外部とを接続するコンタクト２５が、第２の高濃度拡散層１８上に形成されている。 - 特許庁

A low-concentration drain region 6 surrounds merely a portion near the gate electrode 4 in a heavily-doped drain region 7b.例文帳に追加

低濃度ドレイン領域６ｂは、高濃度ドレイン領域７ｂのうちゲート電極４に近い部分のみを囲んでいる。 - 特許庁

A micro machining of micro electric/machine structure requires at least one heavily doped silicon layer.例文帳に追加

ミクロ電気機械構造のミクロ機械加工には１つ以上の濃密にドープされたシリコン層が必要とされる。 - 特許庁

A heavily doped region 22 is formed at the center between p-type semiconductor layers 4 sandwiching the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

このｎ型半導体層２１，２を挟むｐ型半導体層４間の中央には、高濃度領域２２が設けられている。 - 特許庁

A contact to a collector and a heavily doped emitter 190 are respectively formed in a collector well and a base well.例文帳に追加

コレクタに対する接点及び強くドープされたエミッタ１９０が夫々コレクタ井戸及びベース井戸内に形成される。 - 特許庁

A heavily-doped region 101, having a impurity concentration higher than that of another region, is partly formed at a semiconductor substrate 500 side of the photoelectric converter 502.例文帳に追加

光電変換部５０２のうち半導体基板５００側の一部に他の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域１０１を形成する。 - 特許庁

A heavily doped source/drain region is formed on the second insulating film so that it may be connected with the source/drain diffused layer.例文帳に追加

第２絶縁膜上にソース／ドレーン拡張層と連結されるように高濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

A heavily-doped region 18 is formed below the second substantially horizontal face of the trench in a substrate.例文帳に追加

高濃度ドープ領域１８が基板内において、トレンチの第２の実質的に水平な面の下方に形成される。 - 特許庁

The drain regions of the PMOSs 20_1, 20_2 are provided with a two-layer structure comprised of P-type heavily doped diffusion layer and lightly doped diffusion layer.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ２０_１，２０_２のドレイン領域をＰ型の高濃度拡散層と低濃度拡散層による２層構造とする。 - 特許庁

A heavily doped p-type contact layer 4 is formed in the p-type impurity layer 2 so as to decrease a contact resistance.例文帳に追加

ｐ型不純物層２内には、コンタクト抵抗を下げるための高濃度のｐ型コンタクト層４が形成される。 - 特許庁

Further, a heavily doped layer 21 whose thickness is about 60% of the substrate thickness is formed between the element active area 13a and the bottom surface of the substrate.例文帳に追加

また、基板厚みの60％程度の厚みを有する高濃度不純物含有層２１を素子活性領域１３ａと基板底面との間に有する。 - 特許庁

A P-type buried region 2 is formed in the interior of an extension drain region 3 and an N-type heavily doped region 1 is formed over the region 2.例文帳に追加

延長ドレイン領域３の内部にＰ型埋込領域２を形成し、その上方にＮ型高濃度領域１を形成する。 - 特許庁

Source regions 3 as heavily doped n^+ regions are formed in parts coming into contact with the second grooves 12 in near parts from the gate regions 8.例文帳に追加

ゲート領域８から近い方の第２の溝１２に接する部分には、高濃度のｎ＋型領域であるソース領域３が設けられている。 - 特許庁

Then, the first RTA treatment is conducted to turn nearly all the impurities included in the heavily doped layer 6a for extension into an active state.例文帳に追加

その後、第１のＲＴＡ処理を行なって、高濃度エクステンション拡散層６ａに含まれる不純物をほぼ全て活性な状態とする。 - 特許庁

To provide a heavily-doped buried layer that is implanted at a high energy in a lightly-doped separation well.例文帳に追加

高度にドープされかつ高いエネルギで、薄くドープされた分離ウェル中に注入される埋込層を提供する。 - 特許庁

The heavily doped regions 11 are constituted of p-type semiconductor regions where first conductivity type impurity same as the base regions 4 is introduced.例文帳に追加

高濃度領域１１は、ベース領域４と同じ第１導電型の不純物が導入されたｐ型の半導体領域から構成されている。 - 特許庁

A trench 18 reaching the heavily doped layer 11 is made at a position surrounding the base and lead out to the surface side through a lead-out electrode 21.例文帳に追加

ベースを囲む位置に高濃度層１１に達するトレンチ溝１８を形成し、導出電極２１によって表面側に導出する。 - 特許庁

A heavily doped n-type impurity region is arranged in such a part under a gate pad that is an invalid are as an element area.例文帳に追加

素子領域としては無効領域となるゲートパッド下方の一部に高濃度のn型不純物領域を配置する。 - 特許庁