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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > height-times-width-methodの意味・解説 

height-times-width-methodとは 意味・読み方・使い方

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日英・英日専門用語辞書での「height-times-width-method」の意味

height-times-width-method


「height-times-width-method」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 4



例文

To provide a method for manufacturing an inexpensive perforated metallic plate having a partition height of ≥4 times the partition width.例文帳に追加

隔壁幅に比較して隔壁高さが4倍以上の、安価な有孔金属板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the perforated metallic plate comprises manufacturing the perforated metallic plate having the partition height of ≥4 times the partition width by electrolysis or electroless deposition, in which the thickness of a resist or a mask sealing the segments not to be deposited is the same as or higher than the height of the partition of the objective perforated metallic plate.例文帳に追加

電解、あるいは無電解析出によって、隔壁幅の4倍以上の隔壁高さを有する有孔金属板を製造するにあたり、非析出部分をシールするレジスト、あるいはマスクの厚みが目的とする有孔金属板の隔壁の高さと同じか、それ以上ある有孔金属板の製造法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing copper conductive films used for wiring of an image display device, for plating with a uniform plating height in a case where the maximum line width of a level difference structure is four times or more of the minimum line width thereof, and for easily forming a copper wiring pattern having less resistance variation between the level difference structures, without significantly deteriorating the productivity.例文帳に追加

画像表示装置の配線等として用いられる銅導電膜を形成する際に、生産性を大きく低下させることなく、段差構造体の最大線幅が最小線幅に対して4倍以上である場合においても均一なめっき高さでめっきを行ない、段差構造体間での抵抗ばらつきの小さい銅配線パターンを容易に形成できるようにする。 - 特許庁

例文

The method inspects the surface of a single-crystal substrate for use as a semiconductor substrate for manufacturing a semiconductor device for defects which are strip-shape or groove-shape defects ≥0.3 μm in length with the width ≥3 times the length, or shallow pit-shape defects or mound-shape defects ≥0.5 μm in diameter with the depth or height10 times the diameter.例文帳に追加

半導体デバイスを作製するための半導体基板として使用する単結晶基板表面において、長さ0.3μm以上でありかつ長さが幅の3倍以上であるライン状の凹凸欠陥あるいは短冊状の形状を有した凹形状欠陥、あるいは直径が0.5μm以上でありかつ直径が深さあるいは高さの10倍以上であるシャローピットあるいはマウンド状欠陥を検査することを特徴とする検査方法およびこれらの欠陥のない半導体基板の製造方法。 - 特許庁

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