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heteroepitaxialとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ヘテロエピタキシャル
「heteroepitaxial」を含む例文一覧
該当件数 : 36件
HETEROEPITAXIAL GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE例文帳に追加
窒化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長方法 - 特許庁
HETEROEPITAXIAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ヘテロエピタキシャルウエーハおよびその製造方法 - 特許庁
HETEROEPITAXIAL FILM SUBSTRATE AND DEVICE例文帳に追加
ヘテロエピタキシャル膜基板、及びデバイス - 特許庁
The surface thin film layer 14 is a heteroepitaxial film produced through heteroepitaxial growth of 4H-Si of hexagonal system.例文帳に追加
表面薄膜層14は六方晶系の4H−SiCをヘテロエピタキシャル成長させて製膜したヘテロエピタキシャル膜である。 - 特許庁
MICROSTRUCTURE, ESPECIALLY HETEROEPITAXIAL MICROSTRUCTURE, AND METHOD THEREFOR例文帳に追加
微細構造、特にヘテロエピタキシャル微細構造およびそのための方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR WAFER WITH HETEROEPITAXIAL LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE WAFER例文帳に追加
ヘテロエピタキシャル層を備えた半導体ウェハ及び前記ウェハの製造方法 - 特許庁
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「heteroepitaxial」を含む例文一覧
該当件数 : 36件
To provide a manufacturing method whereby cracking is prevented when heteroepitaxial growing of a group III nitride semiconductor is applied to a silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板へのIII族窒化物半導体のヘテロエピタキシにおいて、割れを防止する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL THIN FILM OF α-SiC AND &Agr;-SiC HETEROEPITAXIAL THIN FILM例文帳に追加
α−SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα−SiCヘテロエピタキシャル薄膜 - 特許庁
The substrate particles are each made of the single crystal, and the agglomerate has the heteroepitaxial layer.例文帳に追加
また、前記基板粒子が単結晶からなり、前記集積体がヘテロエピタキシャル層を有する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING HETEROEPITAXIAL THIN FILM OF α-SiC AND THIN FILM MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加
α−SiCのヘテロエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜 - 特許庁
(xviii) Substrates having multiple layers consisting of heteroepitaxial growth crystals that fall under any of the following発音を聞く 例文帳に追加
十八 次のいずれかに該当するものの多層膜からなるヘテロエピタキシャル成長結晶を有する基板 - 日本法令外国語訳データベースシステム
METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE HAVING Si3N4 HETEROEPITAXIAL BUFFER LAYER ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加
シリコン基板上にSi3N4へテロエピタキシャルバッファ層を有する窒化シリコン基板の作製方法および装置 - 特許庁
A semiconductor substrate has recesses filled with heteroepitaxial silicon-containing material with different portions having different impurity concentrations.例文帳に追加
半導体基板が、異なる不純物濃度を有する異なる部分を有するヘテロエピタキシャル・シリコン含有物質で埋め込まれたリセスを備える。 - 特許庁
The silicon single crystalline film 59 is carbonized by using a CVD system and a silicon carbide layer 63 is formed thereon by heteroepitaxial growth.例文帳に追加
CVD装置を用いて、シリコン単結晶膜59を炭化し、その上に、ヘテロエピタキシャル成長によりシリコンカーバイド層63を形成する。 - 特許庁
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