high-K gateとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE ELECTRODE例文帳に追加

高ｋゲート誘電体および金属ゲート電極を有する半導体デバイス - 特許庁

The high threshold device has a thick-formed gate oxide film or a high-k dielectric gate oxide film.例文帳に追加

高スレショルドのデバイスは、厚くしたゲート酸化膜または高ｋ誘電体ゲート酸化膜を有する。 - 特許庁

To achieve a work function value required for an FET of each polarity in a High-k/metal gate electrode structure.例文帳に追加

High-k/metalゲート電極構造において各極性のＦＥＴに要求される仕事関数値を実現する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME (HIGH-K METAL GATE CMOS)例文帳に追加

半導体デバイスとその形成方法（高ｋ金属ゲートＣＭＯＳ） - 特許庁

For a gate dielectric a high K polymer can be employed to improve device performance.例文帳に追加

ゲート誘電体は、デバイス性能を高める高Ｋポリマとすることができる。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING MULTIPLEX HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR CMOS APPLICATION例文帳に追加

ＣＭＯＳアプリケーション用の多重高κゲート誘電体を堆積する方法 - 特許庁

Then a gate electrode 110 is formed on the high K dielectric 108.例文帳に追加

その後、ゲート電極（１１０）が高Ｋ誘電体（１０８）上に形成される。 - 特許庁

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁