homologous compoundとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR MANUFACTURING ZINC OXIDE-BASED HOMOLOGOUS COMPOUND FILM例文帳に追加

酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法 - 特許庁

The target is a sintered compound of polycrystalline oxide showing crystal structure of homologous phase.例文帳に追加

このターゲットは、ホモロガス相の結晶構造を示す多結晶酸化物焼結体である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminate comprising a crystalline homologous compound layer having target resistivity.例文帳に追加

目標とする抵抗率を有する結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The transparent conductive film, having a surface unevenness of 10 nm or lower and comprising an amorphous homologous compound, is produced by heating a thin film consisting of an amorphous homologous compound represented by Zn_kIn_2O_k+3 (wherein k is an integer of 1-4) at 250-500°C in an inert gas atmosphere or in a reducing atmosphere.例文帳に追加

Ｚｎ_ｋＩｎ_２Ｏ_ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる薄膜を不活性ガス雰囲気下又は還元雰囲気下、２５０〜５００℃の温度で加熱処理することにより表面の凹凸が１０ｎｍ以下であるＺｎ_ｋＩｎ_２Ｏ_ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜が製造できる。 - 特許庁

The sintered compact consists of an oxide which contains In, Ga and Zn in atomic ratios of 0.28≤Zn/(In+Zn+Ga)≤0.38, 0.18≤Ga/(In+Zn+Ga)≤0.28 and makes a compound having a homologous crystal structure expressed with InGaO_3(ZnO) a principal component.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 - 特許庁

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-indium oxide transparent conductive film which is excellent in surface smoothness and low resistance properties and comprises an amorphous homologous compound represented by Zn_kIn_2O_k+3 (wherein k is an integer of 1-4), and to provide its production method.例文帳に追加

表面平滑性と低抵抗性に優れたＺｎ_ｋＩｎ_２Ｏ_ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁