junction of fieldとは 意味・読み方・使い方

A silicon carbide semiconductor device has a termination region that is a junction termination extension (JTE) region or a field limiting ring (FLR) at the termination portion of a semiconductor element.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置は、半導体素子の終端部にＪＴＥ（Junction Termination Extension）領域またはＦＬＲ（Field Limiting Ring）である終端領域を有する。 - 特許庁

To reduce the input capacity of a junction type field effect semiconductor element.例文帳に追加

接合型電界効果半導体素子の入力容量を低減させる。 - 特許庁

LATERAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed.例文帳に追加

逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。 - 特許庁

Therefore, the concentration of electric field in the pn junction part is relieved and the merits of an LDD structure are utilized effectively.例文帳に追加

このため、ｐｎ接合部における電界の集中が緩和され、LDD構造の利点が有効に生かされる。 - 特許庁

To obtain an insulating structure of a switchgear which can reduce an electric field of a triple junction.例文帳に追加

トリプルジャンクション部の電界を下げることが可能なスイッチギヤの絶縁構造を得る。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

An extension electrode 44 is formed continuously to the gate electrode of the junction field effect transistor.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタのゲート電極に連続して、拡張電極４４を形成する。 - 特許庁