low dislocation densityとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of simply forming a III-group nitride film of low dislocation density.例文帳に追加

低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A substrate has a plurality of high-defect regions composed of a crystal having a second average dislocation density higher than a first average dislocation density, in a low-defect region composed of a crystal having the first average dislocation density.例文帳に追加

基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。 - 特許庁

To provide a crystal film, crystal substrate, and semiconductor device which are low in a dislocation density, using a crystal base containing dislocation.例文帳に追加

転位の存在する結晶下地を用いて、低転位密度の結晶膜，結晶基板および半導体装置が得られるようにする。 - 特許庁

Because the voids 23a, 23b prevent each dislocation D_1 from transmitting to the upper part, a crystal layer of a low dislocation density can be formed in the upper part.例文帳に追加

空間部２３ａ，２３ｂにより上層部側への各転位Ｄ_1 の伝播が阻止されるので、上層部では低転位密度の結晶層が得られる。 - 特許庁

To provide large area, uniformly low dislocation density gallium nitride and a process for making the same.例文帳に追加

大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。 - 特許庁

A III-nitride semiconductor device (3) with a low dislocation density is formed on the top of the laminated substrate system.例文帳に追加

転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。 - 特許庁

To provide a method for easily and efficiently growing a group III nitride crystal having a low dislocation density.例文帳に追加

簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal having low average dislocation density and high crystallinity.例文帳に追加

平均転位密度が低く結晶性が高いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁