magnetic switching fieldとは 意味・読み方・使い方

By the switching mechanism 25 controlled by a control device 26, a first magnetic field state is switched to a second magnetic field state and vice versa on a prescribed timing.例文帳に追加

そして、制御装置２６に制御された切換機構２５により所定のタイミングで第１磁場状態と第２磁場状態とを切り換える。 - 特許庁

To realize small power consumption and suppressing of unevenness of a switching magnetic field and an offset magnetic field of a TMR (tunneling magnetoresistive) element.例文帳に追加

消費電力が少なくかつＴＭＲ素子のスイッチング磁界およびオフセット磁界の値のバラツキを抑制することを可能にする。 - 特許庁

The dynamic coercive force of the lower magnetic layer is lower than the exchanged magnetic field to enable rapid switching of the lower magnetic layer.例文帳に追加

下側磁気層の動的保磁力は、交換磁界より低く、下側磁気層の迅速なスイッチングができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device capable of reducing a switching magnetic field required when, in a fine magnetic detection device and a magnetic memory cell and the like, a magnetic field is detected or information is written in the magnetic memory cell.例文帳に追加

微小な磁気検出素子や磁気メモリセルなどにおいて磁場検出あるいはセルに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁場を低減することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

RF ELECTROMAGNETIC FIELD HEATING TYPE DIODE FOR THERMALLY SUPPORTING SWITCHING OF MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気メモリ素子の切替えを熱的に支援するためのＲＦ電磁界加熱式ダイオード - 特許庁

PATTERNED PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM WITH ULTRATHIN OXIDE FILM AND REDUCED SWITCHING FIELD DISTRIBUTION例文帳に追加

スイッチング磁場分布を減少した極薄酸化膜を有するパターン化垂直磁気記録媒体 - 特許庁

MRAM DEVICE USING MAGNETIC FIELD BIAS FOR SUPPRESSING UNINTENDED SWITCHING OF SEMI-SELECTION MEMORY CELL例文帳に追加

半選択メモリ・セルの意図しない切換を抑制するために磁界バイアスを使用するＭＲＡＭ装置 - 特許庁

The transverse magnetic field also reduces the current required for switching the memory cell (150).例文帳に追加

また、横方向磁界によって、メモリセル(150)を切り替えるのに必要な電流が低減される。 - 特許庁