metal‐oxide‐semiconductor FETの英語

According to one embodiment, the FET is a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

一実施形態では、このＦＥＴは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。 - 特許庁

A carbon nanotube CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) 1 is composed of an N-type carbon nanotube FET (field-effect transistor) 2 (hereinafter called as an N-type CN-FET 2) and a P-type carbon nanotube FET 3 (hereinafter called as a P-type CN-FET 3).例文帳に追加

カーボンナノチューブＣＭＯＳ１は、Ｎ型カーボンナノチューブＦＥＴ２（以下、Ｎ型ＣＮ−ＦＥＴ２という）とＰ型カーボンナノチューブＦＥＴ３（以下、Ｐ型ＣＮ−ＦＥＴ３という）とから構成される。 - 特許庁

To enable a semiconductor device, such as a MOS-FET (metal-oxide semiconductor-field effect transistor) having a small capacitance between a gate and a drain to be manufactured, through a simple process.例文帳に追加

単純な工程によりゲート−ドレイン間容量が小さいＭＯＳ−ＦＥＴ等の半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A bias current Iref made to flow through a differential amplifier part comprising an FET M01, M02, M03, and M04 is made to flow through a reference MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Mr from which a voltage corresponding to a reference current can be obtained when making the reference current flow to obtain a level shift voltage Vls.例文帳に追加

基準電流を流すと当該基準電流に対応する電圧が得られる基準ＭＯＳＦＥＴＭｒに、ＦＥＴＭ０１、Ｍ０２、Ｍ０３、及びＭ０４からなる差動増幅部に流されるバイアス電流Ｉｒｅｆを流してレベルシフト電圧Ｖｌｓを得る。 - 特許庁