metal-oxide resistorとは 意味・読み方・使い方

A resistor is provided on a semiconductor substrate through a field oxide film, and a first metal wiring is provided on the resistor, and an intermetallic interlayer film with good flatness having a hygroscopic film is formed on the first metal wiring.例文帳に追加

半導体基板上にフィールド酸化膜を介して抵抗体を設け、抵抗体上に第一の金属配線を設け、第一の金属配線上に吸湿性膜を含む平坦性の良い金属間層間膜を形成する。 - 特許庁

Resistor paste of a resistor composition is manufactured of conductive metal powder mixture made of gold powder and chromium powder, glass powder and/or copper oxide powder (oxide copper powder) mixed with the metal powder mixture and a vehicle made of resin and/or solvent, and a resistor is manufactured by using the resistor paste.例文帳に追加

金の粉体とクロムの粉体からなる導電性金属混合粉体と、この金属混合粉体に混合するガラス粉体および／または銅酸化物粉体（酸化銅粉体）と、樹脂および／または溶剤からなるビヒクルとから抵抗体組成物である抵抗体ペーストを作製し、この抵抗体ペーストを用いて抵抗器を製造する。 - 特許庁

In the method for fabricating a nonvolatile semiconductor memory comprising a variable resistance element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film, the variable resistor 8 is formed at a formation temperature lower than the melting point of a metal wiring layer 11 formed prior to formation of the variable resistor 8.例文帳に追加

ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する可変抵抗素子を備えてなる不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、可変抵抗体８の形成前に形成された金属配線層１１の融点より低い形成温度で、可変抵抗体８を形成する。 - 特許庁

The surface of a metal resistor 12 is covered with oxide films 17, 20, and 22, excluding its electrodes 12a, 20a, and 22a.例文帳に追加

金属抵抗体１２の表面を、その電極部１２ａ，２０ａ，２２ａを除いて酸化皮膜１７，２０，２２で被覆した。 - 特許庁

The arrestor 1 comprises a nonlinear resistor element of metal oxide (not shown) contained in a hollow insulating tube 1a.例文帳に追加

避雷器１は、中空の碍管１ａの中に金属酸化物で形成された図示しない非直線抵抗素子を収容したものである。 - 特許庁

The carbon coating film as a material excellent in corrosion resistance against chlorine gas is used as the resistance for the resistor 7, instead of a conventional metal oxide coating film.例文帳に追加

抵抗器７の抵抗体として従来の酸化金属皮膜の替わりに、塩素に対する耐腐蝕性に優れる材料として炭素皮膜を用いている。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

It is preferable to add at least one kind selected from among a group composed of manganese dioxide, cobalt oxide, and chromium oxide to the resistor in an amount of 0.5-2.0 mol% as a transition metal oxide.例文帳に追加

遷移金属酸化物として酸化ニッケル、二酸化マンガン、酸化コバルトおよび酸化クロムからなる群から選択される少なくとも１種を０．５〜２．０モル％含むことが好ましい。 - 特許庁