metal-oxide resistorとは 意味・読み方・使い方

The voltage nonlinear resistor porcelain composition which constitutes a voltage nonlinear resistor layer 11 has a main component containing zinc oxide, a first sub-component containing oxide of rare earth metal, a second sub-component containing oxide of Ca, and a third sub-component containing oxide of Si.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体層１１を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を含む主成分と、希土類金属の酸化物を含む第１副成分と、Ｃａの酸化物を含む第２副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第３副成分と、を有している。 - 特許庁

Resistor paste of a resistor composition is manufactured of conductive metal powder mixture made of gold powder and chromium powder, glass powder and/or copper oxide powder (oxide copper powder) mixed with the metal powder mixture and a vehicle made of resin and/or solvent, and a resistor is manufactured by using the resistor paste.例文帳に追加

金の粉体とクロムの粉体からなる導電性金属混合粉体と、この金属混合粉体に混合するガラス粉体および／または銅酸化物粉体（酸化銅粉体）と、樹脂および／または溶剤からなるビヒクルとから抵抗体組成物である抵抗体ペーストを作製し、この抵抗体ペーストを用いて抵抗器を製造する。 - 特許庁

A resistor paste is produced by dispersing a resistor composition containing a conductive material and a glass composition into an organic vehicle wherein the resistor composition contains a composite oxide containing an alkaline metal.例文帳に追加

導電性材料及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属を含む複合酸化物を含有する。 - 特許庁

The arrestor 1 comprises a nonlinear resistor element of metal oxide (not shown) contained in a hollow insulating tube 1a.例文帳に追加

避雷器１は、中空の碍管１ａの中に金属酸化物で形成された図示しない非直線抵抗素子を収容したものである。 - 特許庁

The thick film resistor paste contains glass composition and conductive material as main component, and metal oxide, metal complex oxide, or metallic material as additive, and those materials are mixed with organic vehicle.例文帳に追加

主成分としてガラス組成物や導電性材料を含み、添加物として金属酸化物や金属複合酸化物、金属材料を含み、これらが有機ビヒクルと混合されてなる厚膜抵抗体ペーストである。 - 特許庁

In the method for fabricating a nonvolatile semiconductor memory comprising a variable resistance element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film, the variable resistor 8 is formed at a formation temperature lower than the melting point of a metal wiring layer 11 formed prior to formation of the variable resistor 8.例文帳に追加

ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する可変抵抗素子を備えてなる不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、可変抵抗体８の形成前に形成された金属配線層１１の融点より低い形成温度で、可変抵抗体８を形成する。 - 特許庁

A resistor is provided on a semiconductor substrate through a field oxide film, and a first metal wiring is provided on the resistor, and an intermetallic interlayer film with good flatness having a hygroscopic film is formed on the first metal wiring.例文帳に追加

半導体基板上にフィールド酸化膜を介して抵抗体を設け、抵抗体上に第一の金属配線を設け、第一の金属配線上に吸湿性膜を含む平坦性の良い金属間層間膜を形成する。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁