metal oxide semiconductor integrated circuitとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for forming a metal oxide film which prevents damage to an integrated circuit, consisting of a MOSFET, etc., formed on a semiconductor substrate caused by application of heat.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＭＯＳ電界効果トランジスタ等からなる集積回路への加熱による損傷を防止することができる金属酸化物膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a terminator for the application example of a metal oxide film semiconductor (CMOS-SOI) on a high-speed insulator provided with a triple well in an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路に三重ウエルを備える高速の絶縁体上の金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ−ＳＯＩ）の応用例のためのターミネータを提供する。 - 特許庁

This complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuit basically comprises three kinds or more of MOS transistors having different gate electrodes whose work functions are 3A, 3B, 3C and 3D.例文帳に追加

各々が仕事関数を異にするゲート電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄをもつ３種類以上のＭＯＳトランジスタで構成されてなることが基本になっている。 - 特許庁

To provide a slurry of a metal oxide useful for a chemical and mechanical polishing treatment(CMP treatment) which is used for flattening an insulating layer of a low dielectric material which coats a conductive layer of a large scale integrated semiconductor circuit or the like.例文帳に追加

大規模集積半導体回路などの導電層を被覆する絶縁層である低誘電率材料から成る層を平面化処理するために用いられる、化学・機械的研磨処理（ＣＭＰ処理）に有用な水系金属酸化物ゾルスラリーを提供する。 - 特許庁

For the capacitor structure of an integrated circuit, a nonvolatile memory cell 10 which has embodied on embedded capacitor structure 12 includes a metal oxide semiconductor(MOS) path transistor 14 made of a source region 16 and a drain region 18 made in a substrate 20, and a gate 22.例文帳に追加

埋め込みコンデンサ構造１２を具現化した不揮発性メモリ・セル１０には、基板２０に形成されたソース領域１６及びドレイン領域１８によって形成される金属酸化物半導体（ＭＯＳ）パス・トランジスタ１４と、ゲート２２も含まれている。 - 特許庁

To protect the gate oxide film of an input cell transistor against damages caused by electric charge generated, when a multilayer metal interconnection is formed through an RIE(reactive ion etching) method in a semiconductor integrated circuit device, where output cells and input cells are connected through a multilayer metal interconnection.例文帳に追加

本発明は、出力用セルと入力用セルとの間を、多層メタル配線により接続してなる構成の半導体集積回路装置において、ＲＩＥによって多層メタル配線を形成する際に生じる電荷により、入力用セルのトランジスタのゲート酸化膜が破壊されるのを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a nonvolatile memory element during an wiring process for facilitating high integration by lamination and change of design when a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film is fabricated in a semiconductor integrated circuit, and a method for fabricating a nonvolatile memory element by a low temperature process without causing any thermal damage in the wiring process.例文帳に追加

半導体集積回路へ、ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する不揮発性記憶素子を作りこむ際に、積層化による高集積化と設計変更を容易にする配線工程中において不揮発性記憶素子を形成する方法と、配線工程で熱的ダメージを与えることのない低温プロセスで形成可能な不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁