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monoatomic layerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 単原子層
「monoatomic layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
MONOATOMIC LAYER DEPOSITION REACTION APPARATUS例文帳に追加
単原子層蒸着反応装置 - 特許庁
To provide monoatomic layer deposition reaction apparatus.例文帳に追加
単原子層蒸着反応装置を提供する。 - 特許庁
LAYER COMPOUND CONTAINING SILICA MONOATOMIC FIBER AS CONSTITUTIVE ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加
シリカ単原子ファイバーを構成要素とする層状化合物及びその製造方法 - 特許庁
To provide a method of growing crystal for a compound semiconductor having high quality which also controls monoatomic layer.例文帳に追加
単原子層も制御する、良質な化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁
Thus, the monoatomic layer is deposited uniformly on the sample by maintaining the pressure and flow of the reaction gas at which the monolayer deposition is achieved; and the monoatomic layer deposition and analysis are performed at the same time.例文帳に追加
これにより、単原子層蒸着が可能な圧力及び反応ガスのフローを一定に維持して試片に単原子層を均一に蒸着でき、かつ単原子層蒸着反応と分析とを同時に実施できる。 - 特許庁
The silicon oxide film 3a or the silicon oxynitride film 3b having the film thickness of the monoatomic layer level or 1 nm or less can be inserted in the film of the high dielectric constant insulated film 2 as well.例文帳に追加
高誘電率絶縁膜2の膜中に単原子層レベルないしは1nm以下の膜厚を有する、シリコン酸化膜3aないしはシリコン酸窒化膜3bを挿入してもよい。 - 特許庁
Furthermore, the copper atoms are ones in which a monoatomic layer of copper is formed on the surface of platinum or platinum alloy by under-potential precipitation, and as a carrier, carbon black, carbon nanotube, and carbon nanofiber etc. are used.例文帳に追加
さらに、銅原子は、アンダーポテンシャル析出により白金または白金合金の表面に銅の単原子層が形成されたもので、担体にはカーボンブラック、カーボンナノチューブおよびカーボンナノファイバーなどを使用する。 - 特許庁
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「monoatomic layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
A silicon oxide film 3a or a silicon oxynitride film 3b having the film thickness of a monoatomic layer level or 1 nm or less is formed on a high dielectric constant insulated film 2 formed on a silicon substrate 1, and a gate electrode material layer 4 is formed on it.例文帳に追加
シリコン基板1上に形成した高誘電率絶縁膜2の上に、単原子層レベルないしは1nm以下の膜厚を有する、シリコン酸化膜3aないしはシリコン酸窒化膜3bを形成し、その上にゲート電極材料層4を形成する。 - 特許庁
The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer.例文帳に追加
本発明は、シリコン(001)基板上に形成され、前記シリコン(001)基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン(001)基板と絶縁層との界面に前記シリコン(001)基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する1原子層の窒素層とを備える半導体装置である。 - 特許庁
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