nonpolar groupとは 意味・読み方・使い方

To provide an advantageous manufacturing method for obtaining a group III-V nitride semiconductor crystal having a high-quality and large area nonpolar face.例文帳に追加

高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。 - 特許庁

An underlayer 2A comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

The major surface of the group III nitride semiconductor laminate structure 2 is the m face (nonpolar face) having the off angle θ to the c-axis direction in the range of -1°<θ<0°.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２の主面は、ｃ軸方向へのオフ角θが−１°＜θ＜０°の範囲のｍ面（非極性面）である。 - 特許庁

To provide a method for producing a self-supporting substrate comprising a single crystal of a nonpolar group-III nitride of good quality at a high productivity.例文帳に追加

品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。 - 特許庁

An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

To improve light extraction efficiency without deterioration of crystallinity of a group III nitride semiconductor having a primary surface of a nonpolar plane.例文帳に追加

非極性面を主面とするIII 族窒化物半導体の結晶性を悪化させることなく光取り出し効率を向上させること。 - 特許庁

In a group-III nitride semiconductor optical element 11a, a principal plane 13a of a semiconductor region 13 is nonpolar or semipolar.例文帳に追加

III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。 - 特許庁

To provide a substrate capable of obtaining a group III nitride semiconductor layer having good crystallinity grown on a nonpolar plane.例文帳に追加

結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。 - 特許庁