A thin GaN layer 302 is grown at a growth rate of, for example, 4 μm/h or under by depressurized hydride VPE method on a substrate 301, and then a thick AlGaN layer 304 is grown enough at a growth rate of 4-400 μm/h by normal pressure hydride VPE method on this GaN layer 2.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板３０１上に、減圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層３０２を成長させた後、このＧａＮ層３０２上に常圧ハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きく且つ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＡｌＧａＮ層３０４を成長させる。 - 特許庁

To provide a nitride thin-film depositing apparatus that performs the crystal growth of a group III-V semiconductor thin film using a nitriding source at normal pressure which is made uniform in film thickness while the flow rate of a gas is maintained.例文帳に追加

常圧下で窒化源を用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の結晶成長を行う窒化物薄膜成膜装置において、ガスの流量を維持しつつ、成膜されるシリコン窒化膜の膜厚を均一にすることができる窒化物薄膜成膜装置を提供する - 特許庁

In such a case, by changing the discharge flow rate of the electrodeposition liquid from the specific discharge part 4, the growth of the electrodeposition layer in the divided region corresponding to the specific discharge part 4 is approximated to the growth of the electrodeposition layer in the normal treatment and the homogeneous electrodeposition layer having the fixed thickness is formed on the resin film 9.例文帳に追加

特定吐出部４からの電析液の吐出流量を正常流量から変更することにより、特定吐出部４に対応する分割領域における電析層の成長を正常処理時におけるものに近似させることができ、樹脂フィルム９上に一定の厚さの均質な電析層を形成することができる。 - 特許庁