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p-groupとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 p群
「p-group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 901件
R^31 shows at least one structure selected from a group of a direct bond, -O(CH_2)_p-, -O(CF_2)_p-, -(CH_2)_p-, -(CF_2)_p-.例文帳に追加
Ｒ^31は、直接結合、−Ｏ（ＣＨ_2）_p−、−Ｏ（ＣＦ_2）_p−、−（ＣＨ_2）_p−、−（ＣＦ_2）_p−からなる群より選ばれた少なくとも１種の構造を示す。 - 特許庁
P is also suitable for group V element.例文帳に追加
Ｖ族元素にはＰもよい。 - 特許庁
When a public parameter is created, an element P of a group G_1 with an order q is selected, and g=e(P, P) calculated beforehand is added to the public parameter.例文帳に追加
公開パラメータ生成時に、位数qの群G_1の元Pを選択し、予め計算したg=e(P,P)を公開パラメータに加える。 - 特許庁
A variable conversion means 104 generates e=a^αb^β mod p, g=c^αd^β mod p, h=c^γd^δ mod p using prime numbers p and q that specify finite group, original elements a, b, c, and d, and random numbers α, β, γ, and δ.例文帳に追加
変数変換手段104は、有限群を指定する素数p,qと、元の要素a,b,c,dと、乱数α,β,γ,δを用いて、e=a^αb^β mod p,g=c^αd^β mod p,h=c^γd^δ mod pを生成する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法 - 特許庁
P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体およびその製造方法 - 特許庁
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「p-group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 901件
P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体とその製造方法 - 特許庁
GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加
ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 - 特許庁
This retrovirus inhibitory compound is represented by the formula: A-X-B, specifically a compound in which A is 5-thiazolyl group; X is carbonatomethyl group; and B is p-nitrophenyl group).例文帳に追加
式：Ａ−Ｘ−Ｂで表わされるレトロウイルス阻害性化合物に係る。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加
ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁
As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加
Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁
To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加
Ｐを含むIII‐Ｖ族化合物半導体層上に再成長を行う際のＰ抜けを防止する。 - 特許庁
To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加
III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁
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