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perpendicular magnetization filmとは 意味・読み方・使い方
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「perpendicular magnetization film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 64件
MAGNETORESISTANCE MEMORY USING PERPENDICULAR MAGNETIZATION FILM例文帳に追加
垂直磁化膜を用いた磁気抵抗メモリ - 特許庁
A recording magnetic layer 3 consists of a perpendicular magnetization film.例文帳に追加
記録磁性層3は垂直磁化膜からなる。 - 特許庁
The second magnetic layer 32 is a perpendicular magnetization film.例文帳に追加
また、第2磁性層32は垂直磁化膜である。 - 特許庁
The high perpendicular orienting film 24 has higher perpendicular orienting property than the perpendicular magnetization film 22.例文帳に追加
高垂直配向性膜24は、垂直磁化膜22よりも高い垂直配向性を有する。 - 特許庁
The first magnetic layer 3 is an in-plane magnetization film at room temperature and changes into a perpendicular magnetization film at 100 to 150°C.例文帳に追加
第1磁性層3は室温で面内磁化膜であり、100〜150℃で垂直磁化膜となる。 - 特許庁
The reproducing layer 3 is an in-plane magnetization film at a room temperature, and is the magnetic layer acting as a perpendicular magnetization film at about 150°C.例文帳に追加
再生層3は、室温で面内磁化膜であり、150℃程度で垂直磁化膜となる磁性層である。 - 特許庁
The recording layer 5 consists of a first magnetic layer 51 which is an in-plane magnetization film at room temp. and changes into a perpendicular magnetization film at a specified temp. or higher and a second magnetic layer 52 which is the perpendicular magnetization film.例文帳に追加
記録層5は、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる第1の磁性層51と垂直磁化膜である第2の磁性層52とから成る。 - 特許庁
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「perpendicular magnetization film」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 64件
An easy magnetization direction of the perpendicular magnetization free layer is perpendicular to a film plane and an easy magnetization direction of the in-plane magnetization free layer is parallel to the film plane, and magnetization of the perpendicular magnetization free layer is directed in an in-plane direction by exchange coupling with the in-plane magnetization free layer via the nonmagnetic intermediate layer.例文帳に追加
垂直磁化自由層の磁化容易方向は膜面に対して垂直であり、面内磁化自由層の磁化容易方向は膜面に平行であり、垂直磁化自由層の磁化は、非磁性中間層を介して面内磁化自由層と交換結合することによって、面内方向を向いている。 - 特許庁
The reproducing layer 3 is the in-plane magnetization film at room temp. and changes into the perpendicular magnetization film at a specified temp. or higher.例文帳に追加
また、再生層3は、室温で面内磁化膜であり、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性層である。 - 特許庁
Further, magnetization directions perpendicular to respective film surfaces of the two magnetization fixed layers 15 are adjusted to be opposite to each other.例文帳に追加
さらに2つの磁化固定層のそれぞれの膜面に垂直な磁化方向は逆方向とされている。 - 特許庁
An in-plane magnetization film is formed between a lining layer and a perpendicular magnetization film, and noise generated by the mutual operations of the perpendicular magnetization film and the lining layer is reduced while a sufficient recording magnetic field gradient is maintained.例文帳に追加
裏打ち層と垂直磁化膜との間に面内磁化膜を有し、十分な記録磁界勾配を保持しつつ垂直磁化膜と裏打ち層の相互作用で生じるノイズを低減する。 - 特許庁
This perpendicular magnetic recording medium 11 is produced by laminating a perpendicular magnetization film 22 and a high perpendicular orienting film 24 in this order on a substrate 20.例文帳に追加
本発明の垂直磁気記録媒体11は、基板20上に垂直磁化膜22及び高垂直配向性膜24がこの順に積層されたものである。 - 特許庁
Then a non-magnetic intermediate layer having 1-10 nm thickness is provided between the soft magnetic film and the perpendicular magnetization film.例文帳に追加
また、軟磁性膜と垂直磁化膜の間に1〜10nmの範囲の非磁性中間層を設ける。 - 特許庁
The storage element having magnetization perpendicular to a film surface comprises a storage layer 17 with a magnetization direction varying corresponding to information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film face, which serves as reference of information stored in the storage layer 17 and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15.例文帳に追加
記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層17と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層15と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層16とを有する。 - 特許庁
The storage element comprises a storage layer 17 having magnetization perpendicular to a film surface with a magnetization direction varying corresponding to information, a magnetization fixed layer 15 having magnetization perpendicular to the film face, which serves as reference of information stored in the storage layer 17, and an insulation layer 16 of a nonmagnetic material provided between the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15.例文帳に追加
記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層17と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層15と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層16とを有する。 - 特許庁
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