plane wave incidenceとは 意味・読み方・使い方

Thickness of the incidence plane of the nonlinear optical crystal is set smaller than half wavelength of the terahertz wave in the nonlinear optical crystal.例文帳に追加

非線形光学結晶の入射面の厚みはテラヘルツ波の非線形光学結晶における半波長よりも小さく設定される。 - 特許庁

To provide a radio wave absorber capable of effectively absorbing radio wave incident from an oblique direction as well as radio wave from an orthogonal direction to the plane of radio wave incidence in spite of simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成としながらも、電波入射面に対し直交方向からの電波だけでなく、斜め方向から入射する電波をも効果的に吸収することのできる電波吸収体を提供する。 - 特許庁

In the terahertz wave generator 10, when the terahertz wave L3 is generated, a first laser beam L1 and a second laser beam L2 are colinearly made incident on an incidence plane of nonlinear optical crystal of a waveguide device 20.例文帳に追加

テラヘルツ波発生装置１０では、テラヘルツ波Ｌ３を発生させる際に、第１レーザ光Ｌ１と第２レーザ光Ｌ２を導波路デバイス２０の非線形光学結晶の入射面にコリニアに入射する。 - 特許庁

In an ultrasonic wave propagation wire At, a point P1 of incidence of ultrasonic waves from one transducer 21 on a fluid to be inspected is set on one side with a plane including the axis Aa of a measurement tube 11 with a reference, and a point P2 of incidence of ultrasonic waves from the other transducer 22 on the fluid to be inspected is set on the reference plane.例文帳に追加

超音波伝搬線Ａｔを、一方のトランスデューサ２１からの超音波の被検流体に対する入射点Ｐ１を測定管１１の中心軸Ａａを含む平面を基準とした一側に設定し、他方のトランスデューサ２２からの超音波の被検流体に対する入射点Ｐ２を前記基準平面の他側に設定する。 - 特許庁

A total reflection spectroscopic measurement apparatus 1 can highly precisely position a terahertz wave detection antenna 32 and a terahertz wave detection antenna 33 on an incidence plane 31a and an emission plane 31b of a total internal reflection prism 31 respectively by abutting the antennas 32 and 33 on step parts 51A and 51B in a simple configuration.例文帳に追加

全反射分光計測装置１では、段差部５１Ａ，５１Ｂへの突き当てによって、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａに対するテラヘルツ波発生アンテナ３２の位置決め、及び出射面３１ｂに対するテラヘルツ波検出アンテナ３３の位置決めを簡単な構成で精度良く行うことができる。 - 特許庁

The InAs layer 32 is constituted in a transmission type which uses the surface 3a of the layer 32 as the plane of incidence of pulsed pumping light L1 and the surface 3b of the Si substrate 30 as the emitting surface of the terahertz wave L2 generated in the InAs layer 32 by the pumping light L1.例文帳に追加

そして、ＩｎＡｓ層３２の面３ａをパルス励起光Ｌ１の入射面とし、Ｓｉ基板３０の面３ｂをパルス励起光Ｌ１によってＩｎＡｓ層３２内で発生したテラヘルツ波Ｌ２の出射面とする透過型の構成とする。 - 特許庁