platinum silicide electrodeとは 意味・読み方・使い方

The gate electrode 6 of the n-channel type MIS transistor (Qn) is formed of an Ni (nickel) silicide film, and the gate electrode 7 of the p-channel type MIS transistor (Qp) is formed of a Pt (platinum) film.例文帳に追加

また、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）のゲート電極６は、Ｎｉ（ニッケル）シリサイド膜で構成され、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）のゲート電極７は、Ｐｔ（プラチナ）膜で構成されている。 - 特許庁

The p-type MIS transistor Q_2, on the other hand, has a gate electrode 24b formed across a gate insulating film 5b, and the gate electrode 24b is formed of a platinum silicide film 28.例文帳に追加

一方、ｐ型ＭＩＳトランジスタＱ_2には、ゲート絶縁膜５ｂを介してゲート電極２４ｂが形成されており、このゲート電極２４ｂは、プラチナシリサイド膜２８から構成されている。 - 特許庁

There are laminated, on a plug 11a composed of polysilicon, a titanium layer 13 silicified by silicon diffused from the plug 11a, a lower layer 141 composed of titanium silicide, a middle layer 142 composed of titanium silicide oxidized, an upper layer 143 obtained by further nitriding the oxidized titanium silicide, a capacitor lower electrode 15 composed of platinum, and an oxide dielectric 17, in this order.例文帳に追加

ポリシリコンからなるプラグ１１ａ上には、プラグ１１ａから拡散したシリコンによってシリサイド化されたチタン層１３と、チタンシリサイドからなる下層１４１と、酸化されたチタンシリサイドからなる中層１４２と、酸化されたチタンシリサイドに更に窒化を施して得られる上層１４３と、白金からなるキャパシタ下部電極１５と、酸化物誘電体１７とが、この順に積層される。 - 特許庁

A metal silicide layer 13b, which includes nickel platinum silicide, is formed by a salicide process, on a source-drain n^+-type semiconductor region 7b of an n-channel type MISFETQn formed on the semiconductor substrate 1 and a gate electrode GE1, and on a source-drain p^+-type semiconductor region 8b of a p-channel type MISFETQp and a gate electrode GE2.例文帳に追加

半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。 - 特許庁