pole plasmaとは 意味・読み方・使い方

A part B_M of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet M_5 descends to a peripheral plasma region PS_B just below, makes a U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of a segment magnet M_4 adjacent to a circumference direction.例文帳に追加

セグメント磁石Ｍ_5の下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石Ｍ_4の下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

A part B_M of a line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of a segment magnet M_O descends to a peripheral plasma region PS_B just below, makes a U-turn upward, and reaches the lower face (S pole) of a segment magnet M_E adjacent to a circumference direction.例文帳に追加

セグメント磁石Ｍ_Oの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石Ｍ_Eの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

The array antenna unit 30 has a plurality of pole bolts connectable to the ceiling side connectors, and plasma is generated by power supply from the high-frequency power source in such a state that the pole bolts are connected to the ceiling side connectors.例文帳に追加

アレイアンテナユニット３０は、天井側コネクタに接続可能な複数本の電極棒を有し、電極棒が天井側コネクタに接続された状態で高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させる。 - 特許庁

A part B_m of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet m_4 descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of the segment magnet m_5 adjacent to the circumference direction.例文帳に追加

また、セグメント磁石ｍ_4の下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石ｍ_5の下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

A part B_m of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet m_E descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of a segment magnet m_O adjacent to the circumference direction.例文帳に追加

また、セグメント磁石ｍ_Eの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石ｍ_Oの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

A part B_C of a line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of an outer segment magnet M_5 descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches the lower face (S pole) of the inner segment magnet m_5 adjacent to a radius direction.例文帳に追加

さらに、外側セグメント磁石Ｍ_5の下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Cが、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして半径方向隣の内側のセグメント磁石ｍ_5の下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

A part B_C of the line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of the outer segment magnet M_O descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U turn upward, and reaches the lower face (S pole) of the inner segment magnet m_O adjacent to a radius direction.例文帳に追加

さらに、外側セグメント磁石Ｍ_Oの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Cが、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして半径方向隣の内側のセグメント磁石ｍ_Oの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁