semiconductor random-access memoryとは 意味・読み方・使い方

MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application発音を聞く 例文帳に追加

MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

To attain the high speed of random cycle time being characteristics of a semiconductor memory circuit such as a fast cycle random access memory.例文帳に追加

ファーストサイクルランダムアクセスメモリ等の半導体メモリ回路の特徴であるランダムサイクルタイムの高速化を図る。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁

INVERTER, SEMICONDUCTOR LOGIC CIRCUIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DATA LATCH CIRCUIT例文帳に追加

インバータ、半導体論理回路、スタティックランダムアクセスメモリ、及びデータラッチ回路 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which random access speed can be increased.例文帳に追加

ランダムアクセスの高速化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM(dynamic random access memory) being a semiconductor memory element with an error correcting function and to reduce the time incapable of performing access operation caused by error correcting operation.例文帳に追加

半導体記憶素子であるＤＲＡＭに関し、エラー訂正機能を持ち、かつエラー訂正動作に伴うアクセス不可能な時間を少くする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY例文帳に追加

半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁