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semiconductor quantum wireとは 意味・読み方・使い方
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「semiconductor quantum wire」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
PRODUCTION OF QUANTUM WIRE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
量子細線の製造方法および半導体素子 - 特許庁
MANUFACTURE OF QUANTUM WIRE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子 - 特許庁
To provide a semiconductor device where a quantum fine wire can be electrically formed.例文帳に追加
電気的に量子細線を形成できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LASER, AND QUANTUM WIRE STRUCTURE例文帳に追加
半導体装置の製造方法，半導体レーザの製造方法，及び量子細線構造の製造方法 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a quantum wire, which enhances the flatness of the surface of a silicon film subsequent to the formation of the quantum wire and can form the quantum wire having a complete electron confinement region with good controllability, and a semiconductor element having the quantum wire.例文帳に追加
量子細線の形成後のシリコン表面の平坦性がよく、完全な電子の閉じ込め領域を有する量子細線を制御性よく形成できる量子細線の製造方法およびその量子細線を用いた半導体素子を提供する。 - 特許庁
To provide the fine structure of a compound semiconductor containing a quantum box and a quantum small wire in a small number of processes.例文帳に追加
少ない工程数により、量子箱や量子細線を含む化合物半導体の微細な構造を提供すること。 - 特許庁
To provide a formation technique of a quantum wire capable of demonstrating a superior shape and sufficient characteristics in a distributed feedback semiconductor laser and the like with respect to a formation process of a quantum wire formed on a grating substrate.例文帳に追加
グレーティング基板上に形成される量子細線の形成方法として、分布帰還半導体レーザ等に応用するに十分な形状、特性を発揮し得る量子細線の形成手法を提供する。 - 特許庁
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「semiconductor quantum wire」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
A composition is changed during the growth of the layers 4 and compound semiconductor layers 5 having a narrow band gap are formed in the layers 4, thus constituting the compound-semiconductor structure containing the quantum box and the quantum small wire.例文帳に追加
２次エピタキシャル層４の成長中に組成を変化させバンドギャップの狭い化合物半導体層５を２次エピタキシャル層４中に形成することにより、量子箱や量子細線を含む化合物半導体構造を構成する。 - 特許庁
When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加
量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁
To form a quantum wire of nanometer size using a semiconductor substrate, e.g. an Si substrate, and genera film deposition technology, lithography technology and etching technology.例文帳に追加
Ｓi基板等の半導体基板を用い、一般的な成膜技術,リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ナノメータサイズの量子細線を形成する。 - 特許庁
The semiconductor laser 11 having a complex distribution return structure includes each quantum wire 19a-19e having a gain responsive to current application and the intermediate semiconductor region 21 not having a gain and has a comparatively wide stop band.例文帳に追加
複素型分布帰還構造の分布帰還構造の半導体レーザ１１は、電流の印加に応答した利得を持つ各量子細線１９ａ〜１９ｅと利得を持たない中間半導体領域２１とを含んでおり、また比較的広いストップバンドを有する。 - 特許庁
The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加
エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
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