semiconductor quantum wellsとは 意味・読み方・使い方

MULTILAYER SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DEVICE USING CARRIER REDISTRIBUTION FOR EMISSION WAVELENGTH MODULATION AND HAVING QUANTUM WELLS DIFFERENT IN WIDTH AT BOTH ELECTRODES例文帳に追加

キャリアの再分布によって発光波長を変調する両極に幅の異なる量子井戸を具える多層半導体量子井戸レーザ - 特許庁

A digital graded semiconductor layer will have a super lattice of alternating GaN quantum wells and AlGaN barrier layers, with the GaN quantum wells decreasing in thickness as the AlGaN barriers increase in thickness.例文帳に追加

デジタル的勾配半導体層は、交互するＧａＮ量子井戸及びＡｌＧａＮ障壁層の超格子を有し、ＡｌＧａＮ障壁の厚さが増加するにつれて、ＧａＮ量子井戸の厚さが減少する。 - 特許庁

The semiconductor device may additionally include absorbing layers 3, 5, 7, 9 around or closely or immediately adjacent to the second or third quantum wells.例文帳に追加

半導体デバイスは第２または第３の量子井戸の周囲の、または近接するまたは直接隣接する吸収層３，５，７，９をさらに備え得る。 - 特許庁

This nitride semiconductor light-emitting element contains a light-emitting layer 106 having a multiple quantum well structure consisting of a plurality of quantum wells and a plurality of barrier layers alternately stacked on each other, wherein each quantum well layer is composed of InGaNP, and each barrier layer is composed of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層１０６を含み、その量子井戸層はＩｎＧａＮＰからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。 - 特許庁

In the semiconductor laser element comprises an active layer which comprises a plurality of distorted quantum wells, the active layer comprises six or more distorted quantum well layers of GaInAsP compound semiconductor, and the total thickness of the distorted quantum well layers multiplied by distortion (%) is 20-40 nm, and oscillates up to 140°C as a laser device.例文帳に追加

複数層の歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体レーザ素子において、活性層は、６層以上のＧａＩｎＡｓＰ化合物半導体からなる歪量子井戸層を有し、かつ該歪量子井戸層の厚さの総計と、歪み（％）との積が２０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下であって、レーザ素子として１４０℃まで発振する。 - 特許庁

The semiconductor element comprises second nitride semiconductor layers 31 containing no In between an active layer 12 and an n-type clad layer 25 and between a p-type clad layer 30 and the active layer 12 and first In-containing nitride semiconductor layers 32 between the first nitride semiconductor layers and the active layer, and the active layer composed of quantum wells has two well layers.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２５、ｐ型クラッド層３０と活性層１２との間に、Ｉｎを含まない窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層３１、さらに第１の窒化物半導体層と活性層との間にＩｎを含む窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層３２とをそれぞれ有し、さらに量子井戸からなる活性層の井戸層数を２とする。 - 特許庁

The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.例文帳に追加

ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁