「semiconductor random-access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application 例文帳に追加

MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

A magnetic random access memory has a semiconductor substrate.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、半導体基板を持つ。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device performing an operational margin test suitable for a mechanism of TTRAM (Twin-Transistor Random Access Memory) which is one of capacitorless memory.例文帳に追加

キャパシタレスメモリの１つであるＴＴＲＡＭ（Twin-Transistor Random Access Memory）のメカニズムに適した動作マージンテストを行なう半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

INVERTER, SEMICONDUCTOR LOGIC CIRCUIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DATA LATCH CIRCUIT例文帳に追加

インバータ、半導体論理回路、スタティックランダムアクセスメモリ、及びデータラッチ回路 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR BODY, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRIC ISOLATION, AND MANUFACTURE OF MEMORY CELL例文帳に追加

半導体ボディ、ダイナミックランダムアクセスメモリならびに電気的アイソレ—ションおよびメモリセルの形成方法 - 特許庁

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR ACCESSING SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ素子、ダイナミックランダムアクセスメモリ素子にアクセスする方法、半導体メモリ素子 - 特許庁

To attain the high speed of random cycle time being characteristics of a semiconductor memory circuit such as a fast cycle random access memory.例文帳に追加

ファーストサイクルランダムアクセスメモリ等の半導体メモリ回路の特徴であるランダムサイクルタイムの高速化を図る。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁

DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC TYPE RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリ、半導体記憶回路装置及び半導体集積回路装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which random access speed can be increased.例文帳に追加

ランダムアクセスの高速化を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize high speed of read-operation of a semiconductor memory, especially, a static random access memory(SRAM).例文帳に追加

半導体記憶装置、特にスタティック・ランダム・アクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のリード動作の高速化を実現すること。 - 特許庁

His invention concerns the MIS semiconductor device and a high-integrated random access memory semiconductor device. 例文帳に追加

この発明はMIS型半導体装置とそれを用いた高集積ランダムアクセスメモリ半導体装置に関する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY例文帳に追加

半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which matches an access time of a large-capacity nonvolatile memory and an access time of a random access memory, and includes the large-capacity nonvolatile memory.例文帳に追加

大容量の不揮発性メモリのアクセス時間とランダム・アクセス・メモリのアクセス時間との整合を図り、大容量不揮発のメモリを含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, THE SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PORTABLE ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及び携帯電子機器 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置並びに携帯電子機器 - 特許庁

To provide a DRAM(dynamic random access memory) being a semiconductor memory element with an error correcting function and to reduce the time incapable of performing access operation caused by error correcting operation.例文帳に追加

半導体記憶素子であるＤＲＡＭに関し、エラー訂正機能を持ち、かつエラー訂正動作に伴うアクセス不可能な時間を少くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which high speed random access memory can be realized while realizing less area.例文帳に追加

高速なランダムアクセスを実現しつつ、かつ小面積化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

TIMING VERIFYING METHOD FOR RANDOM ACCESS MEMORY PART WITH BUILT-IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND LOGICAL SIMULATION DEVICE FOR VERIFICATION例文帳に追加

半導体装置内蔵ランダムアクセスメモリ部のタイミング検証方法および検証用論理シミュレーション装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体装置、半導体装置の製造方法、ダイナミックランダムアクセスメモリおよびダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SINGLE GATE ELECTRODE CORRESPONDING TO A PAIR OF CHANNEL REGIONS AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

一対のチャンネル領域に対応する単一ゲート電極を有する半導体素子及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory array permitting its application to random access use.例文帳に追加

ランダムアクセス用途への適用を可能とする強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイを提供する。 - 特許庁

In this microcomputer, a CPU, an I/O port, the flash memory and a random access memory are constituted in a single semiconductor chip.例文帳に追加

本発明のマイクロコンピュータは、ＣＰＵとＩ／Ｏポートとフラッシュメモリとランダムアクセスメモリとを単一の半導体チップに構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory provided with an interface having interchangeability with an interface of a normal static random access memory.例文帳に追加

通常のスタティック・ランダム・アクセス・メモリのインターフェイスと互換性を有するインターフェイスを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To speed up a random access cycle by shortening a finish time of write operation into a memory cell in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置において、メモリセルに対する書き込み動作の完了時間を短縮し、ランダムアクセスサイクルの高速化を図る。 - 特許庁

This apparatus is the semiconductor integrated circuit apparatus 100 including a memory controller 110 performing access control based on access request from a host for a dynamic random access memory having a self-refresh function.例文帳に追加

セルフリフレッシュ機能を有するダイナミックランダムアクセスメモリに対し、ホストからのアクセス要求に基づくアクセス制御を行うメモリーコントローラ１１０を含む半導体集積回路装置１００である。 - 特許庁

To make control of a semiconductor memory by a controller easy in an electronic device mounting a semiconductor memory requiring refresh to hold data such as DRAM(dynamic random access memory) and a controller.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等のように、データ保持にリフレッシュを必要とする半導体記憶装置と、コントローラとを搭載する電子装置であって、コントローラによる半導体記憶装置の制御を容易にする。 - 特許庁

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of reducing wiring layers necessary for a SRAM (static random access memory) cell, and to provide the designing method of the same.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルに必要な配線層を減らすことができる半導体装置及びその設計方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device, such as a high-performance semiconductor integrated circuit device whose soft errors of a SRAM(static random access memory) are reduced.例文帳に追加

半導体集積回路装置、例えば、ＳＲＡＭのメモリセルのソフトエラーを低減させた高性能の半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor recorder using a random access semiconductor memory (RAM) that simplifies and speeds up the recording/reproducing operation of various types of data.例文帳に追加

複数種類のデータの記録再生動作を簡単且つ高速化するランダムアクセス半導体メモリ（ＲＡＭ）を使用する半導体レコーダを提供する。 - 特許庁

To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.例文帳に追加

貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁

The static random access memory cells 300 contain two non-planar pass-gate transistors having one or more fins on a semiconductor substrate.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セル３００は、半導体基板上の１つ以上のフィンを備える２つの非プレーナ型パスゲート・トランジスタを備える。 - 特許庁

To provide memory cell array structure of a non-volatile semiconductor memory unit, which can read data more quickly in the case of high-speed random access and accessing data of a small number.例文帳に追加

高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which data read-out speed can be increased without reducing a random access time and its data read-out method.例文帳に追加

ランダムアクセスタイムを低下させることなく、データ読み出しの高速化が図れる半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁

To provide a dynamic type semiconductor memory device being refresh-controlled, or not which has an interface having interchangeability with a static random access memory and can perform stably internal operation.例文帳に追加

スタティック・ランダム・アクセス・メモリと互換性を有するインターフェイスを有しかつ安定に内部動作を行なうことのできるリフレッシュ制御フリーのダイナミック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for performing a command cancel (CC) function on a dynamic random access memory (DRAM) semiconductor device for enhancing reliability and speed of a memory system.例文帳に追加

メモリ・システムの信頼性および速度を向上させるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）半導体デバイス上でコマンド取消し（ＣＣ）機能を実行するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a dynamic random access memory formed at a semiconductor body comprising individual paired memory cell separated each other by a vertical electric isolation trench and separated from a support circuit.例文帳に追加

垂直方向の電気的アイソレーショントレンチにより互いに分離され、かつサポート回路から分離されている個々のメモリセルペアを有する半導体ボディに形成されたダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device and a DMA (direct memory access) data transferring method capable of fast and efficiently transferring DMA data even for a random data amount.例文帳に追加

ランダムなデータ量でも高速に効率よくＤＭＡデータ転送を行うことを可能とした半導体集積回路装置とＤＭＡデータ転送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which no refresh operation is required seemingly by automatically and efficiently performing refresh operation while performing high speed random access.例文帳に追加

高速なランダムアクセスを実現しながら、内部で自動的に且つ効率的にリフレッシュ動作を行って、見掛け上はリフレッシュ動作が不要な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The multi-chip module comprises a first semiconductor chip on which a digital signal processing circuit is mounted; a second semiconductor chip constituting a dynamic random access memory; a third semiconductor chip constituting a nonvolatile memory; and a mounting substrate, all assembled into a stacked structure.例文帳に追加

デジタル信号処理回路が搭載された第１半導体チップと、ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリを構成する第２半導体チップと、不揮発性メモリを構成する第３半導体チップと、搭載基板とを積層構造に組み立ててマルチチップモジュールを構成する。 - 特許庁

The LCD driver (liquid crystal display drive device) IC chip 10 includes an input circuit 11 to which data is inputted, a RAM (Random Access Memory) 12 as a memory section, a logic circuit 13 as a data processing section, an internal semiconductor element circuit constituted in such a manner that the output circuit 14 etc., including a latch circuit and producing signal output are correlated.例文帳に追加

ＬＣＤドライバ（液晶表示駆動装置）ＩＣチップ１０は、データが入力される入力回路１１、記憶部としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１２、データ処理部としてのロジック回路１３、及びラッチ回路を含み信号出力をする出力回路１４等が相関するように構成された内部の半導体素子回路を有している。 - 特許庁

To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.例文帳に追加

半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁