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si electrodeとは 意味・読み方・使い方
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The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁
An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加
ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加
また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁
An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加
n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR Si ALLOY NEGATIVE ELECTRODE例文帳に追加
Ｓｉ系合金負極電極の製造方法 - 特許庁
Si ALLOY NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRIC DEVICE例文帳に追加
電気デバイス用Ｓｉ合金負極活物質 - 特許庁
The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加
バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁
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「si electrode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 588件
Si-BASED ALLOY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL AND LITHIUM-ION BATTERY例文帳に追加
Ｓｉ系合金負極材料およびリチウムイオン電池 - 特許庁
This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.例文帳に追加
この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁
This negative electrode material consists of an amorphous phase of Si and/or Ge, or of this amorphous phase and a solid solution or a phase of intermetallic compound of Si and/or Ge.例文帳に追加
Siおよび／またはGeの非結晶質相、またはこれとSiおよび／またはGeの固溶体または金属間化合物の相とからなる負極材料。 - 特許庁
The electrode 5 is formed in contact with the Si thin film 423, and the electrode 6 is formed in contact with the Si thin film 433.例文帳に追加
電極５は、Ｓｉ薄膜４２３に接して形成され、電極６は、Ｓｉ薄膜４３３に接して形成される。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING Si/C COMPLEX TYPE NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL例文帳に追加
Ｓｉ／Ｃ複合体型負極活物質の製造方法 - 特許庁
A negative electrode active material layer 12 containing Si is formed on a negative electrode current collector 11.例文帳に追加
負極集電体１１にＳｉを含む負極活物質層１２が設けられている。 - 特許庁
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