silicon emitterとは 意味・読み方・使い方

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.例文帳に追加

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

A phosphorus-doped polysilicon film is used for an emitter electrode, so emitter resistance based upon a natural oxidation film on the interface between the emitter electrode and a silicon substrate is reducible.例文帳に追加

エミッタ電極に燐ドープポリシリコン膜を用いるので、エミッタ電極とシリコン基板の界面の自然酸化膜に起因するエミッタ抵抗を低減することができる。 - 特許庁

The potential of the isolation silicon area 44 is turned to be the same as that of the emitter electrode 37.例文帳に追加

分離シリコン領域４４は、エミッタ電極３７と同電位になっている。 - 特許庁

Moreover, a silicon cap layer is formed on the silicon-germanium layer, and an emitter region is formed by introducing phosphorus (P) or arsenic (As) into this silicon cap layer.例文帳に追加

また、シリコン−ゲルマニウム層上にシリコンキャップ層を形成し、このシリコンキャップ層にリン（Ｐ）あるいは砒素（Ａｓ）を導入してエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

An emitter member made of the first conductivity type silicon is disposed on the base layer.例文帳に追加

ベース層の上に、第１導電型のシリコンからなるエミッタ部材が配置されている。 - 特許庁

An emitter region 14 is formed by impurity diffusion from the polycrystalline silicon film 20.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０からの不純物拡散によってエミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

On the emitter diffused layer 13, an n-type polysilicon film 8a, which is an emitter electrode, and a silicon nitride film 9a are formed.例文帳に追加

エミッタ拡散層１３上にはエミッタ電極であるｎ型の多結晶シリコン膜８ａおよびシリコン窒化膜９ａが形成されている。 - 特許庁

In a first method, an Si-Ge mixed crystal layer that becomes a base and a silicon epitaxial film that becomes an emitter are continuously formed, and the silicon epitaxial film is removed by wet etching for forming the emitter.例文帳に追加

第１の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜を連続して成膜し、ウエットエッチングによりシリコンエピタキシャル膜を除去してエミッタを形成する。 - 特許庁