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standing-wave laserとは 意味・読み方・使い方
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「standing-wave laser」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 7件
Causing the laser beam L directly bringing the focus F to the sample S and the laser beam L reflected by the reflection surface 10a to interfere with each other generates the standing wave.例文帳に追加
直接的に試料Sに焦点Fを結ぶレーザ光Lと反射面10aで反射したレーザ光Lとを干渉させて定在波を発生させている。 - 特許庁
The light absorbing layer 13B is formed of a p-type semiconductor layer having a band gap of energy smaller than or equivalent to the oscillation wavelength λ_0 and provided at the node of standing wave of the laser beam.例文帳に追加
光吸収層13Bは発振波長λ_0に相当するエネルギー以下のバンドギャップを有するp型半導体からなり、レーザ光の定在波の節の位置に設けられている。 - 特許庁
In the laser type gas analyzer, a laser element vibration means 28A for finely vibrating a laser element 24 in an optical axis direction is constituted of a straight rod 92, the piezoelectric elements 93 arranged at both ends of the straight rod and fine projections 91 formed in the loop of the standing wave of the straight rod.例文帳に追加
レーザ式ガス分析装置において、レーザ素子24を光軸方向に微小振動させるレーザ素子振動手段28Aを、 直棒92と、直棒の両端部に配置された圧電素子93と、直棒の定常波の腹に設けられた微小突起部91とから構成した。 - 特許庁
Therefore, in input optical signals, only the optical signal of a wavelength matched with the cycle of the refraction factor change caused by the standing wave 203 is reflected, becomes a reflected optical signal, and returns to the light source of the semiconductor laser.例文帳に追加
したがって、入力光信号は、定在波203による屈折率変化の周期と一致する波長の光信号のみ反射され、反射光信号となって半導体レーザ光源部に戻る。 - 特許庁
The light non-absorption layer 13A is formed of a p-type semiconductor having a band gap larger than energy equivalent to an oscillation wavelength λ_0 and provided at the antinode of standing wave of a laser beam.例文帳に追加
光非吸収層13Aは発振波長λ_0に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有するp型半導体からなり、レーザ光の定在波の腹の位置に設けられている。 - 特許庁
To provide a positive resist composition suitable for far ultraviolet rays, particularly KrF eximer laser light, having improved line edge roughness, excellent sensitivity, resolution and focal depth and capable of reducing foreign substance on a resist pattern and decreasing standing wave.例文帳に追加
遠紫外光、特にKrFエキシマレーザー光に好適で、ラインエッジラフネスが改善され、感度、解像力、焦点深度が優れ、レジストパターン表面上の異物が減少し、更に定在波も低減したポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
The blank disk to obtain the stamper 51 by forming the resist projection 11 on a crosslinkable layer 2a on a substrate 1a is specified in the thickness of the crosslinkable layer 2a to the wavelength half the standing wave of a laser beam, by which the exposure intensity at the base of the resist projection 11 is suppressed and the large angle of the sectional inclination is obtained.例文帳に追加
基盤1a上の架橋性層2aの上にレジスト突起11を形成してスタンパー51とするブランク盤50において、上記架橋性層2aの厚さをレーザビームの定在波の1/2波長とし、上記レジスト突起11の底辺での露光強度を抑え、大きな断面傾斜角を得る。 - 特許庁
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