tetraethylとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of forming an insulating film which makes possible further planarization during growth of the insulating film, using tetraethyl orthosilicate(TEOS) method.例文帳に追加

ＴＥＯＳ法を用いた絶縁膜の成長について、より平坦化を図り得る絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The tetraethyl ethylenediphosphate is contained in an amount of 1-20 pts.wt. based on 100 pts.wt. polyol and a ratio M/T of the blending amount M of the melamine resin to the blending amount T of the tetraethyl ethylenediphosphate is 0.8/1-1.9/1.例文帳に追加

ポリオール１００重量部に対しテトラエチルエチレンジフォスフェートを１〜２０重量部含み、メラミン樹脂の配合量Ｍとテトラエチルエチレンジフォスフェートの配合量Ｔとの比Ｍ／Ｔが０．８／１〜１．９／１である。 - 特許庁

Successively, a second seed layer which can adjust a boron content and is used for forming the insulating film 18 is formed using triethyl borate, tetraethyl orthosilicate and oxygen gas, and the insulating film 18 comprising the BPSG film is formed using riethyl borate, triether phosphate, tetraethyl orthosilicate and ozone gas.例文帳に追加

続けて、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成のための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁

To effectively utilize ethanol in a method for producing a silica microparticle dispersion liquid comprising hydrolyzing tetraethyl orthosilicate in the presence of an alkali in an ethanol solvent.例文帳に追加

アルカリ存在下、テトラエチルオルソシリケートをエタノール溶媒中にて加水分解するシリカ微粒子分散液の製造方法において、エタノールの有効利用を図る。 - 特許庁

METHOD FOR CARRYING OUT BATCH BACK EXTRACTION OF ACTINOID ION OF 3 OR 4 VALENCY IN SEPARATION PROCESS SOLVENT INTO HIGH-CONCENTRATION NITRIC ACID SOLUTION BY N, N, N', N'-TETRAETHYL GLYCOL AMIDE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルジグリコールアミドにより分離プロセス溶媒中の３，４のアクチノイドイオンを高濃度の硝酸溶液に一括逆抽出する方法 - 特許庁

A selective oxidation semi- atmospheric pressure chemical vapor deposition (SELOX SACVD) comprises depositing silicon dioxide on the wafer, using an ozone-activated tetraethyl orthosilicate process.例文帳に追加

さらに、選択的酸化準大気圧化学気相堆積(SELOX SACVD）は、オゾン活性オルトケイ酸テトラエチルプロセスを用いて、ウェーハの上に二酸化ケイ素を堆積する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an insulating film comprising a BPSG film, an oxidizing atmosphere is composed in a substrate 10 formed with an etching stop film 12 using oxygen gas, and thereafter, a first seed layer is formed using tetraethyl orthosilicate and oxygen gas.例文帳に追加

エッチング阻止膜１２が形成された基板１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for simply and effectively forming a flat insulating film (O3-TEOS(tetraethyl orthosilicate) NSG(non-doped silicate glass) film) in which base dependence can be reduced, and a method for manufacturing a semiconductor device adapting this film forming method.例文帳に追加

簡便かつ効果的に下地依存性の少ない平坦な絶縁膜（Ｏ_3 −ＴＥＯＳ ＮＳＧ膜）を成膜する方法、及びこの成膜方法を適用する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁