voltage-dependent resistorとは 意味・読み方・使い方

Since the detection resistor 111 has a fixed resistance and the heating resistor 110 has a resistance dependent on the temperature, an input voltage to the buffer amplifier 112 is dependent on the temperature.例文帳に追加

検出抵抗１１１は抵抗値固定で、発熱抵抗体１１０の抵抗値は温度により変化する為、バッファアンプ１１２に入力される電圧は温度により変化する。 - 特許庁

To provide a junction-type voltage-dependent resistor which is small in size, possesses desired characteristics, and is very reliable.例文帳に追加

小型で、所望の特性を備えた信頼性の高い接合型の電圧依存性抵抗器を提供する。 - 特許庁

The serial connection part 3a comprises a resistor element R1 and a bi-directional Zener diode ZD1 as a voltage- dependent element connected to each other in series.例文帳に追加

直列接続部３ａは、抵抗素子Ｒ１と、電圧依存性素子である両方向ツェナーダイオードＺＤ１とを互いに直列に接続して構成されている。 - 特許庁

The first type surge protection device (4) comprises a voltage-dependent resistor, that is, a varistor, and the second type surge protection device (9) comprises a lightning current arrester, that is, a spark gap element.例文帳に追加

第１タイプのサージ保護デバイス（４）は、電圧依存抵抗器すなわちバリスタからなり、第２タイプのサージ保護デバイス（９）は、落雷電流阻止器すなわちスパーク・ギャップ素子からなる。 - 特許庁

Output current detection in the drooping type overcurrent protection circuit part 36 is performed by using an external resistor 20 which is connectedly arranged in series between the CPO terminal and the REGIN terminal; and the output current detection in the output voltage dependent type overcurrent protection circuit part 38 is performed by using an internal resistor 76.例文帳に追加

垂下型過電流保護回路部３６における出力電流検出は、ＣＰＯ端子とＲＥＧＩＮ端子の間に直列に接続され配置される外付抵抗２０を用いて行なわれ、出力電圧依存型過電流保護回路部３８における出力電流検出は、内蔵抵抗７６を用いて行なわれる。 - 特許庁

A current Is dependent on the output signals Hu, Hv and Hw from the Hall sensors 3u, 3v and 3w flows through the power supply lines 2a and 2b, and a rotary position of a rotor 22r is determined by a microcomputer 30 based on an A/D conversion value of a voltage Vx generated in a resistor 28.例文帳に追加

電源線２ａ、２ｂにはホールセンサ３ｕ、３ｖ、３ｗの出力信号Ｈｕ、Ｈｖ、Ｈｗに応じた電流Ｉｓが流れ、マイコン３０は、抵抗２８に生成される電圧ＶｘのＡ／Ｄ変換値に基づいてロータ２２ｒの回転位置を判定する。 - 特許庁

The junction-type voltage-dependent resistor has a joined structure composed of a semiconductor ceramic (ZnO semiconductor ceramic block) 1a whose main component is ZnO and a metal oxide compound (metal oxide compound block) 2a containing Sr and/or Ba and Mn and/or Co which are joined together.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする半導体セラミック（ＺｎＯ半導体セラミックブロック）１ａと、Ｓｒ及びＢａのうち少なくとも一方と、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一方とを含む金属酸化化合物（金属酸化化合物ブロック）２ａとが接合された構造とする。 - 特許庁

When the wire 80 to be detected is disconnected, the divided resistance voltage to be inputted in the AND circuit 70 is only dependent on an NMOS transistor 60 for a pull-down resistor, and since the divided resistance voltage is lower than the logical threshold at the AND circuit 70, the connection condition signal to be outputted from the AND circuit 70 is on the LOW level.例文帳に追加

一方、検出対象線８０が断線している場合には、ＡＮＤ回路７０へ入力する抵抗分圧は、プルダウン抵抗用ＮＭＯＳトランジスタ６０にのみ依存することとなり、抵抗分圧がＡＮＤ回路７０での論理閾値よりも低いので、ＡＮＤ回路７０から出力される結線状態信号はＬＯＷレベルとなる。 - 特許庁