wide‐gap semiconductorの英語

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

LEAD-FREE SOLDERING METHOD OF WIDE-GAP SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法 - 特許庁

To obtain a wide-gap semiconductor device of high dielectric strength, by improving insulating properties of a wide-gap semiconductor element in the wide-gap semiconductor device, such as SiC, which is used at a high temperature of ≥ 150°C.例文帳に追加

１５０℃以上の高温で使用するＳｉＣなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a lead-free soldering method of a wide-gap semiconductor chip, which can achieve a satisfactory junction state in soldering using lead-free solder in the electrode structure of the wide-gap semiconductor chip, and to provide the wide-gap semiconductor chip by the lead-free soldering.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体チップの電極構造において鉛フリー半田を用いた半田付けを行った場合の接合状態を良好なものとできる、ワイドギャップ半導体チップの鉛フリー半田付け方法、および鉛フリー半田付けによるワイドギャップ半導体チップを提供する。 - 特許庁

INJECTING COLD CATHODE HAVING NEGATIVE ELECTRON AFFINITY BASED ON WIDE GAP SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加

ワイドギャップの半導体構造に基づく負の電子親和力を備えた注入冷陰極 - 特許庁

On the metal film 7, a diode element 13 including an n-type wide gap semiconductor layer is provided.例文帳に追加

金属膜７上に、ｎ型ワイドギャップ半導体層を含むダイオード素子１３を備える。 - 特許庁

On the metal substrate 125, a bipolar switching element 20 including a wide-gap semiconductor layer is provided.例文帳に追加

金属基板１２５上に、ワイドギャップ半導体層からなるバイポーラスイッチング素子２０を備える。 - 特許庁

To detect the position of a wide gap semiconductor substrate with high accuracy by using visible light.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。 - 特許庁