化学蒸着析出の英語

ドーピング化合物がプロセスガスとしてポリシリコンの化学気相蒸着の際に添加され、そのプロセスガスへの供給が気相蒸着の終了近くで停止され、その結果非ドープのシリコンからなる境界層が析出される。例文帳に追加

As a result, a boundary layer made of a nondoped silicon is deposited. - 特許庁

化学蒸着により型表面にタングステン、モリブデン、タンタル、ニオブその他の高融点材料の電極形状物を析出させて所望の冷陰極を形成させることを特徴としている。例文帳に追加

A desired cold cathode is formed by depositing an electrode-shaped object composed of a high melting point metal material such as tungsten, molybdenum, tantalum, niobium or others on a die surface by chemical vapor deposition. - 特許庁

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。例文帳に追加

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material. - 特許庁

水素、及びジクロルシラン等の塩素化シランガスを含む混合ガスであって、且つ該混合ガス中の塩素原子数に対する水素原子数の比（Ｈ／Ｃｌ）が１〜５０である混合ガスを原料ガスとして用いて、プラズマ化学蒸着法によりガラス基板等の基層上に多結晶シリコンを析出させ、実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜を形成する。例文帳に追加

A mixture gas, containing a chlorinated silane gas such as hydrogen and dichloro-silane and having an H/Cl ratio of 1 to 50 as a ratio of the number of hydrogen atoms to the number of chlorine atoms is used as a material gas, polycrystalline silicon is deposited on a substrate, such as a glass substrate through a plasma chemical vapor deposition method to form a polycrystalline silicon film which does not substantially contain amorphous silicon phase. - 特許庁