化学蒸着反応器の英語

化学的蒸着膜工程のための反応液体の気化器および蒸着システム例文帳に追加

VAPORIZER AND VAPOR DEPOSITION SYSTEM OF REACTANT LIQUID FOR CHEMICAL VAPOR FILM DEPOSITION PROCESS - 特許庁

ヒドロキシルイオン・先駆物質混合体を化学蒸着反応器３０内へ導入する。例文帳に追加

The hydroxyl ions- precursor mixture is introduced into the chemical vapor deposition reactor 30. - 特許庁

極めて長いカーボンナノチューブを化学蒸着させるための増強された反応器例文帳に追加

AUGMENTED REACTOR FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ULTRA-LONG CARBON NANOTUBE - 特許庁

化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス反応器炉を使用して、任意の長さのカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成する装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus to produce carbon nanotubes (CNTs) of optional length using a chemical vapor deposition (CVD) process reactor furnace. - 特許庁

ウエハ上、または製造しようとするサンプルの個数ほどの穴が穿孔されている反応器内に、様々な組成の薄膜や粉末アレイを製造するために、一軸方向に駆動される移動シャッターが装着されている、噴霧化学蒸着などの湿式蒸着工程を提供すること。例文帳に追加

To provide a wet deposition process such as misted chemical deposition with a shutter driven in one axis direction in order to produce a thin film or powder array various in composition on a wafer or in a reactor having apertures as many as the number of samples to be produced. - 特許庁

化学蒸着反応器３０の外側のヒドロキシルイオン発生装置１４内で発生させたヒドロキシルラジカルを、先駆物質と混合させてヒドロキシルイオン・先駆物質混合体を形成させる。例文帳に追加

Hydroxyl radical, which is produced in a hydroxyl-ion producing device 14 outside of a chemical vapor deposition reactor 30, are mixed with a precursor to form a hydroxyl ions-precursor mixture. - 特許庁

化学蒸着反応器内で、活性化窒素原子、特に誘電体障壁放電により発生させた活性化窒素原子およびIII族金属の有機金属化合物１種以上を、従来のＭＯＣＶＤ法におけるよりも低温の７００℃〜１，０００℃に加熱した基板上に化学蒸着させる製造方法である。例文帳に追加

This method for producing a III group metal nitride thin film comprises carrying out chemical vapor deposition of activated nitrogen atom, especially activated nitrogen atom generated by dielectric barrier discharge and one or more kinds of organometallic compounds of III group metals on a substrate heated to 700°C to 1,000 which is a temperature lower than that in conventional MOCVS method. - 特許庁