例文 (4件) |
"dielectric flux"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
Concerning this non-linear element 2, the increase quantity of the positive dielectric flux density D corresponding to the electric field E in the dependency of the dielectric flux density D and the electric field E is small in a low electric field area and large in a high electric field area.例文帳に追加
この非線形要素2は、電束密度Dと電界Eとの依存性において電界Eに対する正の電束密度Dの増加量が低電界領域において小さく高電界領域において大きい。 - 特許庁
When a vibration voltage is applied to a dielectric 12 and electric vector potential used for a communication medium is transmitted, dielectric flux in the dielectric 12 in a voltage applying state is made to be non-uniform.例文帳に追加
誘電体12に振動電圧を印加して、通信媒体に用いる電気ベクトルポテンシャルを発信する際に、電圧印加状態での誘電体12内の電束密度を不均一にする。 - 特許庁
Non-uniform dielectric flux density in the dielectric is easily realized by a simple method for making the aspect ratio (long axis/short axis) of the dielectric 12 to be 2 to 5, making the dielectric constant of the dielectric 12 to be lower from a center part toward a peripheral part or distributing a plurality of ring- like electrodes in the dielectric 12.例文帳に追加
誘電体12のアスペクト比(長軸/短軸)を2〜5とする、誘電体12の誘電率を中心部から周縁部に向かうにつれて低くする、または、複数のリング状の電極を誘電体12に配設するという簡単な手法にて、誘電体内での不均一な電束密度を容易に実現する。 - 特許庁
This nonvolatile semiconductor memory device is provided for rewriting stored information corresponding to the charge quantity of a dielectric substance, and equipped with a ferroelectric film 1 which has history characteristics in the dependency of a dielectric flux density D and an electric field E, and a non-linear element 2 electrically connected with that ferroelectric film 1.例文帳に追加
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、誘電体の電荷量により記憶情報の書換を行なうものであって、電束密度Dと電界Eとの依存性において履歴特性を有する強誘電体膜1と、その強誘電体膜1と電気的に接続された非線形要素2とを備えている。 - 特許庁
例文 (4件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |