「"isolated land"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The first and second isolated land regions 71', 72' have the shape formed by integrating a plurality of different rectangular shapes.例文帳に追加

第１孤立島領域７１’と７２’は、複数の異なる形状の長方形を統合させた形状を有する。 - 特許庁

A trench gate or the like forming a transistor QA is formed on a plurality of first isolated land regions 71 arranged on a semiconductor substrate 10, and a trench gate or the like forming a transistor QB is formed through division on a plurality of the second isolated land regions 72 arranged on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

トランジスタＱＡを構成するトレンチゲート等が、半導体基板１０上に配列された複数の第１孤立島領域７１に形成され、同様にトランジスタＱＢを構成するトレンチゲート等が、半導体基板１０上に配列された複数の第２孤立島領域７２に分割して形成されている。 - 特許庁

A trench gate or the like constituting a transistor QA is formed through division on a plurality of first isolated land regions 71, 71' arranged on a semiconductor substrate 10, and a trench gate or the like constituting a transistor QB is also formed through division on a plurality second isolated land regions 72, 72' arranged on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

トランジスタＱＡを構成するトレンチゲート等が、半導体基板１０上に配列された複数の第１孤立島領域７１、７１’上に分割して形成され、同様にトランジスタＱＢを構成するトレンチゲート等が、半導体基板１０上に配列された複数の第２孤立島領域７２、７２´に分割して形成されている。 - 特許庁

The first and second isolated land regions 71 and 72 are alternately arranged in the form of stripe and have the rectangular shape, while the transistors QA and QB have the drain region in common in the semiconductor substrate 10 located under the adjacent lines of both regions.例文帳に追加

第１孤立島領域７１と第２孤立島領域とはストライプ状に交互に配置されると共に長方形形状を有し、両領域の隣接線の下部に位置する半導体基板１０においてトランジスタＱＡ及びＱＢがドレイン領域を共有している。 - 特許庁

The first and second isolated land regions 71, 72 are alternately arranged in the form of stripe, and the transistors QA and QB have the drain regions in common in the semiconductor substrate 10 located at the lower side of the adjacent lines of both regions.例文帳に追加

第１孤立島領域７１と第２孤立島領域とはストライプ状に交互に配置され、両領域の隣接線の下部に位置する半導体基板１０においてトランジスタＱＡ及びＱＢがドレイン領域を共有している。 - 特許庁