例文 (3件) |
いそのかみちょう5ちょうめの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
本発明による炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素半導体装置の製造方法であって、(a)SiC1の表面に不純物を導入してアモルファス化する工程と、(b)アモルファスSiC3表面を熱処理することによってSiC1の表面にCNT5を形成する工程と、(c)CNT5を下地として用いて、その上方にさらにCNT5を形成する工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加
The process for fabricating a silicon carbide semiconductor device comprises (a) a step for making the surface of SiC 1 amorphous by introducing impurities, (b) a step for forming a CNT 5 on the surface of amorphous SiC 3 by heat treatment, and (c) a step for forming a CNT 5 further thereon by using the CNT 5 as a ground. - 特許庁
地下水を浄化するシステムは、 (1)酸素を供給する手段(5,6)、および (2)地下水の水面上に位置し、地下水をその上方の大気から遮断する隔壁手段(7)を有して成り、 酸素を供給する手段によって、隔壁手段の下方に位置する地下水内に酸素を供給することを特徴とする。例文帳に追加
The system for cleaning the underground water comprises (1) oxygen supply means (5 and 6), and (2) barrier means (7) locating on the water surface of the underground water and shielding the underground water from the upward atmosphere, wherein the oxygen supply means supply oxygen to the underground water located below the barrier means. - 特許庁
なお、829年(天長5年)に空海が綜芸種智院を設置した際に書かれた「綜芸種智院式」の文中に、自分の学校の先駆として吉備真備の「二教院」とともに石上宅嗣の「芸亭院」を挙げたうえで、芸亭の現状を「始めありて終りなく、人去って跡あれたり」と記しており、この時には既に消滅していたことが窺える。例文帳に追加
In a passage in the 'Shugei Shuchiin-shiki' written when the priest Kukai founded the Shugei Shuchiin school in 829, the 'Nikyo-in' of KIBI no Makibi and Untei-in of ISONOKAMI no Yakatsugu are mentioned as the school's predecessors, with the current state of Untei described as 'having a beginning and unending, abandoned by people, in devastation,' suggesting that it no longer existed in his times. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
例文 (3件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |