| 例文 (6件) |
イオンビームスパッタリング法の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
イオンビームスパッタリング装置および該装置を用いたイオンビームスパッタリング方法例文帳に追加
ION-BEAM SPUTTERING APPARATUS AND ION-BEAM SPUTTERING METHOD USING THE SAME - 特許庁
二重イオンビームスパッタリングを用いる薄膜ガスセンサの製造方法例文帳に追加
MANUFACTURE OF THIN-FILM GAS SENSOR USING DOUBLE ION BEAM SPUTTERING - 特許庁
電極膜３３の成膜時のイオンビームスパッタリングの角度を基板面の法線に対して３０゜以下とする。例文帳に追加
The angle of ion beam sputtering when the electrode film 33 is film-deposited is specified to be 30° or less to the normal of the substrate. - 特許庁
この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。例文帳に追加
The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10. - 特許庁
イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。例文帳に追加
To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited. - 特許庁
(3)Ｂａ_xＲ_yＳｉ_46-y（ここで、ｘ＝1〜8、ｙ＝1〜6、ＲはＡｇまたはＡｕ）の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。例文帳に追加
Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow. - 特許庁
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