ガリウムを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2352件
式(1) のMo_1V_aSb_bNb_cZ_dO_n・・(1) (式中、Zはタングステン、クロム、チタン、アルミ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、硼素、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、イットリウム、ガリウム、希土類元素、アルカリ土類金属の1種以上の元素を表し、a、b、c、d、nはMoに対するV、Sb、Nb、Z、Oの原子比を表し、0.1≦a<0.4、0.1<b≦0.4、0.01≦c≦0.3、0≦d≦1であり、但し、a<bであり、nは他の元素の原子価によって決まる数である。)で表される組成を含む、プロパン又はイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒。例文帳に追加
To provide an oxide catalyst which can exhibit a high selectivity for especially (meth)acrylic acid and (meth)acrylonitrile and can persist in that property. - 特許庁
化学気相成長法によりSi基板12上にSiC層及びAlN層を順次形成した後に、AlN層上にGaN結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒14にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、AlN層上で有機ガリウム化合物と反応させてGaN結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するSi基板12を製造する。例文帳に追加
When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer. - 特許庁
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